[发明专利]片状二极管及其制造方法、电路组件及电子设备

权利要求书

1.一种片状二极管，是齐纳电压Vz为4.0V～5.5V的片状二极管，该片状二极管包括：

半导体基板，具有3mΩ·cm～5mΩ·cm的电阻率；

扩散层，形成于上述半导体基板的表面，且在该扩散层与上述半导体基板之间形成二极管接合区域，并且该扩散层相对于上述半导体基板的上述表面具有0.01μm～0.2μm的深度；

电极，与上述扩散层电连接；以及

绝缘膜，形成在上述半导体基板上，且具有使上述扩散层露出的接触孔，

上述扩散层包括形成为多角形状的多个第1扩散层和多个第2扩散层，

上述电极包括：经由上述接触孔与多个上述第1扩散层连接的第1引出电极；经由上述接触孔与多个上述第2扩散层连接的第2引出电极；以及与上述第1引出电极和上述第2引出电极一体形成的焊盘，

上述第1引出电极在上述绝缘膜上的部分的宽度比在上述接触孔内与多个上述第1扩散层连接的部分的宽度宽。

2.根据权利要求1所述的片状二极管，其中，

上述二极管接合区域是pn结区域。

3.根据权利要求2所述的片状二极管，其中，

上述半导体基板由p型半导体基板构成，

上述扩散层是在与上述p型半导体基板之间形成上述pn结区域的n型扩散层。

4.根据权利要求3所述的片状二极管，还包括：

负电极，与上述n型扩散层电连接；以及

正电极，与上述p型半导体基板电连接，

上述负电极以及上述正电极包括与上述p型半导体基板相连且由Ti/Al层叠膜或Ti/TiN/AlCu层叠膜构成的电极膜。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的片状二极管，其中，

上述扩散层具有从上述半导体基板的上述表面起至规定的深度为止连续减少的浓度分布。

6.根据权利要求1～4中任一项所述的片状二极管，其中，

上述半导体基板的上述表面具有将角部倒角了的矩形形状。

7.根据权利要求6所述的片状二极管，其中，

在上述矩形形状的一边的中途部，形成有表示阴极方向的凹部。

8.一种电路组件，包括：

安装基板；以及

安装于上述安装基板的权利要求1～7中任一项所述的片状二极管。

9.根据权利要求8所述的电路组件，其中，

通过无引线接合法，将上述片状二极管与上述安装基板连接。

10.一种电子设备，包括：

权利要求8或9所述的电路组件；以及

容纳了上述电路组件的框体。

11.一种片状二极管的制造方法，该片状二极管的齐纳电压Vz为4.0V～5.5V，该片状二极管的制造方法包括：

在具有3mΩ·cm～5mΩ·cm的电阻率的半导体基板的表面选择性地导入杂质的工序；

通过在维持了导入上述杂质后的上述半导体基板的表面状态的状态下，对上述半导体基板的上述表面实施快速热退火处理来使上述杂质扩散，从而形成扩散层的工序，其中，该扩散层在与上述半导体基板之间形成二极管接合区域且相对于上述半导体基板的上述表面具有0.01μm～0.2μm的深度；

形成与上述扩散层电连接的电极的工序；以及

在上述半导体基板上形成具有使上述扩散层露出的接触孔的绝缘膜的工序，

上述扩散层包括形成为多角形状的多个第1扩散层和多个第2扩散层，

上述电极包括：经由上述接触孔与多个上述第1扩散层连接的第1引出电极；经由上述接触孔与多个上述第2扩散层连接的第2引出电极；以及与上述第1引出电极和上述第2引出电极一体形成的焊盘，

将上述第1引出电极形成为在上述绝缘膜上的部分的宽度比在上述接触孔内与多个上述第1扩散层连接的部分的宽度宽。

12.根据权利要求11所述的片状二极管的制造方法，其中，

上述半导体基板由p型半导体基板构成，

导入上述杂质的工序包括将n型杂质以离子注入方式注入到上述半导体基板的上述表面的工序。