[发明专利]用于使半导体材料与接触层片接触的方法

摘要

本发明涉及一种用于使半导体材料与接触层片接触的方法，其中半导体材料具有碳化硅（SiC），所述方法包括下述方法步骤a）将接触层片施加到半导体材料上，其中接触层片包括氧化镍并且必要时镍；和b）以升高的温度处理至少接触层片和半导体材料之间的界面。通过这样的方法，例如可以建立欧姆接触部，所述欧姆接触部由于镍在碳化硅上的改进的附着而具有改进的持久稳定性。本发明此外涉及一种用于制造半导体构件的方法以及一种半导体构件。

主权项

用于使半导体材料与接触层片接触的方法，其中所述半导体材料具有碳化硅，所述方法包括下述方法步骤：a）将接触层片施加到所述半导体材料上，其中所述接触层片包括氧化镍，使得所述半导体材料与氧化镍直接接触；和b）以升高的温度处理至少所述接触层片和所述半导体材料之间的界面，使得所述接触层片的氧化镍的至少一部分与碳化硅反应成硅化镍。