[发明专利]用于使半导体材料与接触层片接触的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种使半导体材料与接触层片接触的方法，其中半导体材料具有碳化硅。本发明还涉及一种用于制造半导体构件的方法和一种半导体构件。

背景技术

接触装置、诸如欧姆接触部在多种应用中使用并且因此广泛传播。欧姆接触部的应用领域例如包括例如半导体元件、如场效应晶体管。欧姆接触部例如可以由n型掺杂的碳化硅构造，在所述碳化硅上施加例如包括镍的接触部。尤其地，将镍用于n型掺杂的碳化硅在此由于低的比接触电阻可以是有利的。

在此，在这样的接触部或接触装置中，已知下述风险：镍与半导体材料中的或碳化硅中的硅反应生成镍-硅化物，其中元素碳可以析出。析出的碳在此可以引起其它的金属层在接触层片上或接触层片、诸如镍层片在半导体材料上的减小的附着。

发明内容

本发明的主题是一种用于使半导体材料与接触层片接触的方法，其中半导体材料具有碳化硅（SiC），所述方法包括下述方法步骤：

a）将接触层片施加到半导体材料上，其中接触层片包括氧化镍（NiO）并且必要时包括镍（Ni）；和

b）以升高的温度处理至少接触层片和半导体材料之间的界面。

在本发明的范围中尤其可以将接触理解成：将层或层片施加到半导体上以便构造直接的物体接触部。相应的所施加的层或层片在此尤其可以称作为接触层片。

在本发明的范围中此外尤其可以将以升高的温度处理理解成以下处理，所述处理在关于室温升高的温度下进行。例如，这样的温度可以为几百摄氏度。

此外，以升高的温度处理至少接触层片和半导体材料之间的界面在本发明的范围中尤其可以表示：以升高的温度处理至少半导体材料、即碳化硅到所施加的层片的直接的过渡部，所述层片基本上可以仅具有氧化镍或由氧化镍和镍组成的混合物，或者升高的温度至少定向到所述区域上，其中就此可以包括到相应的层中的放射。因此，温度至少部分地作用于两个相邻的层。在此，例如仅边界本身可以以升高的温度来处理或者升高的温度仅作用于所述界面和必要时作用于相邻的环境，或者但是接触层片的或半导体的扩展的区域以升高的温度来处理，其中所述区域可以与对要制造的产品的要求、诸如接触电阻或附着特性相关。例如，由半导体和施加在其上的接触层片组成的总装置可以承受温度处理。

根据本发明的方法针对以接触层片的方式施加由镍和氧化镍组成的混合物的情况例如可以用于：建立欧姆接触部，其中金属可以尤其好地附着在半导体上。由此，这样的接触部的可靠性或其持久稳定性可以得到明显改进。在此，此外，金属和半导体之间的接触电阻不会增大或可以以仅仅受限的程度增大，使得这样制造的欧姆接触部的功能性不受到限制或者以不太强的方式受到限制。因此欧姆接触部的或配设有这样制造的欧姆接触部的构件的功能能力可以基本上保持不变。

在此尤其可以将欧姆接触部理解成金属和半导体之间的界面或过渡部，其中所述过渡部尤其具有低的电阻。这样的欧姆接触部可以如欧姆电阻那样表现。所述欧姆接触部例如可以用于：接触基于半导体的电子器件，以便将所述电子器件例如与其它构件电连接。在当前情况下，欧姆接触部例如可以由碳化硅以及镍和氧化镍构造。

在将纯的氧化镍用在接触层片中的情况下，此外，同样可以制造接触部，所述接触部由于尤其好的附着可以具有非常高的可靠性并且必要时此外可以具有尤其小的接触电阻。

因此，如在上文中描述的那样设计的方法可以以尤其有利的方式用于：实现使半导体材料的至少一个子区域与接触层片接触。

这样的方法在方法步骤a）中包括将接触层片施加到半导体材料上，其中接触层片包括氧化镍（NiO）并且必要时包括镍（Ni）。因此，不仅可以将基本上纯的氧化镍、而且可以将由镍和氧化镍组成的混合物施加到半导体材料上。在此，接触层片或由镍和氧化镍组成的混合物基本上可以具有每个适合的混合比例。此外，氧化镍或包括镍和氧化镍的混合物可以包括其它的组成部分、诸如硅。尤其地，可以设置其它的金属、诸如钛（Ti）、铝（Al）和/或钴（Co）。此外，氧化镍或由镍和氧化镍组成的混合物可以以极不同的方式施加到半导体材料上或施加到半导体材料的空间限制的子区域上，如这在下文中详细地阐述。

因此，在方法步骤a）之后，半导体材料、即碳化硅与接触层片、即与氧化镍或由镍和氧化镍组成的混合物直接接触。