[发明专利]用于使半导体材料与接触层片接触的方法

权利要求书

1.用于使半导体材料与接触层片接触的方法，其中所述半导体材料具有碳化硅，所述方法包括下述方法步骤：

a）将接触层片施加到所述半导体材料上，其中所述接触层片包括氧化镍，使得所述半导体材料与氧化镍直接接触；和

b）以升高的温度处理至少所述接触层片和所述半导体材料之间的界面，使得所述接触层片的氧化镍的至少一部分与碳化硅反应成硅化镍。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在方法步骤a）中，通过氧化镍的阴极溅射，执行将接触层片施加到所述半导体材料上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在方法步骤a）中，通过氧化镍和镍的阴极溅射，执行将接触层片施加到所述半导体材料上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在方法步骤a）中，将由镍和氧化镍组成的混合物通过下述方法步骤施加到所述半导体材料上：

a1）将包括镍的层施加到所述半导体材料上；和

a2）将在方法步骤a1）中施加的镍至少部分地氧化。

5.根据权利要求4所述的方法，其中在方法步骤a1）中，通过阴极溅射或者通过蒸镀，执行将包括镍的层施加到所述半导体材料上。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中通过等离子处理、湿法化学氧化、或者通过在氧化条件下存放在方法步骤a1）中施加的镍，执行方法步骤a2）。

7.根据权利要求4至5中任一项所述的方法，其中在方法步骤a2）中将镍以大于0原子百分比至小于或等于100原子百分比的份额氧化。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在方法步骤a）中以小于或等于1μm的范围中的厚度将氧化镍施加到所述半导体材料上。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在方法步骤b）中，至少将所述接触层片和所述半导体材料之间的界面加热到大于或等于600℃至小于或等于1500℃的范围中的温度上。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触层片还包括镍。

11.用于制造半导体构件的方法，所述方法包括根据权利要求1至10中任一项所述的方法。

12.半导体构件，所述半导体构件通过根据权利要求11的方法制造。