[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201380036253.8 | 申请日： | 2013-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104428878B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 日吉透;内田光亮;增田健良 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/324;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 李兰,孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 该制造碳化硅半导体器件(100)的方法包括以下步骤。制备碳化硅衬底(10)；执行在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底(10)的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，执行在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将碳化硅衬底(10)加热到1300‑1500℃的温度的第二加热步骤；在所述第二加热步骤之后，执行在第一惰性气体气氛中加热碳化硅衬底(10)的第三加热步骤。这允许提供具有低阈值电压变化的碳化硅半导体器件(100)及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅半导体器件的方法，包括以下步骤：制备碳化硅衬底；在氧气气氛中加热所述碳化硅衬底的第一加热步骤；在所述第一加热步骤之后，在包含氮原子或者磷原子的气体气氛中将所述碳化硅衬底加热到1300℃或者更高且1500℃或者更低的温度的第二加热步骤；以及在所述第二加热步骤之后，在第一惰性气体气氛中加热所述碳化硅衬底的第三加热步骤，其中，在所述第三加热步骤中，将所述碳化硅衬底加热到1300℃或者更高且1500℃或者更低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
