[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，具备第1导电型的漂移层(13)；第2导电型的基极层(14)，形成在漂移层的表层部；第2导电型的集电极层(11)，形成在与漂移层中的基极层隔开间隔的位置；多个栅极绝缘膜(16)，形成在基极层的表面；多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在栅极绝缘膜上；发射极层(20)，形成在基极层的表层部；发射极电极(23)，与发射极层及基极层电连接；以及集电极电极(24)，与集电极层电连接。多个栅极电极中，一部分的栅极电极(17a)的栅极电压的变化速度比剩余部分的栅极电极(17b)的栅极电压的变化速度慢。发射极层仅与栅极绝缘膜中的配置上述一部分的栅极电极的栅极绝缘膜相接。

主权项

一种半导体装置，具备：第1导电型的漂移层(13)；第2导电型的基极层(14)，形成在上述漂移层的表层部；第2导电型的集电极层(11)，形成在与上述漂移层中的上述基极层隔开间隔的位置；多个栅极绝缘膜(16)，形成在上述基极层的表面；多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在上述栅极绝缘膜上；发射极层(20)，形成在上述基极层的表层部；发射极电极(23)，与上述发射极层及上述基极层电连接；以及集电极电极(24)，与上述集电极层电连接，上述多个栅极电极中，一部分的栅极电极(17a)的栅极电压的变化速度比剩余部分的栅极电极(17b)的栅极电压的变化速度慢，上述半导体装置的特征在于，上述发射极层，仅与配置上述一部分的栅极电极的上述栅极绝缘膜相接地形成，而不与配置上述剩余部分的栅极电极的上述栅极绝缘膜相接地形成，在该半导体装置接通时，上述一部分的栅极电极的栅极电压的上升速度比上述剩余部分的栅极电极的栅极电压的上升速度慢，在该半导体装置关断时，上述一部分的栅极电极的栅极电压的下降速度比上述剩余部分的栅极电极的栅极电压的下降速度慢，在该半导体装置关断时，与上述一部分的栅极电极相比，上述剩余部分的栅极电极的栅极电压更快地变得比阈值电压小。