[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1导电型的漂移层(13)；

第2导电型的基极层(14)，形成在上述漂移层的表层部；

第2导电型的集电极层(11)，形成在与上述漂移层中的上述基极层隔开间隔的位置；

多个栅极绝缘膜(16)，形成在上述基极层的表面；

多个栅极电极(17a，17b)，分别形成在上述栅极绝缘膜上；

发射极层(20)，形成在上述基极层的表层部；

发射极电极(23)，与上述发射极层及上述基极层电连接；以及

集电极电极(24)，与上述集电极层电连接，

上述多个栅极电极中，一部分的栅极电极(17a)的栅极电压的变化速度比剩余部分的栅极电极(17b)的栅极电压的变化速度慢，

上述半导体装置的特征在于，

上述发射极层，仅与配置上述一部分的栅极电极的上述栅极绝缘膜相接地形成，而不与配置上述剩余部分的栅极电极的上述栅极绝缘膜相接地形成，

在该半导体装置接通时，上述一部分的栅极电极的栅极电压的上升速度比上述剩余部分的栅极电极的栅极电压的上升速度慢，

在该半导体装置关断时，上述一部分的栅极电极的栅极电压的下降速度比上述剩余部分的栅极电极的栅极电压的下降速度慢，

在该半导体装置关断时，与上述一部分的栅极电极相比，上述剩余部分的栅极电极的栅极电压更快地变得比阈值电压小。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

上述一部分的栅极电极经第1电阻(R1)被施加规定电压，上述剩余部分的栅极电极经电阻值比上述第1电阻小的第2电阻(R2)被施加规定电压。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具备将上述基极层贯通而到达上述漂移层并在规定方向上延伸设置的多个沟槽(15)，

上述集电极层配置在上述漂移层的与表层部侧相反侧的背面侧，

上述栅极绝缘膜通过分别形成在上述沟槽的壁面而形成在上述基极层的表面，

上述发射极层，仅与配置上述一部分的栅极电极的上述沟槽的侧面相接地形成，而不与配置上述剩余部分的栅极电极的上述沟槽的侧面相接地形成。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在与上述规定方向垂直的方向上，上述多个栅极电极的上述一部分的栅极电极和上述剩余部分的栅极电极交替地排列。

5.如权利要求1～4中任一项所述半导体装置，其特征在于，

具备与上述集电极层邻接的第2导电型的阴极层(25)。