[发明专利]III族氮化物半导体激光元件

摘要

能够提供一种可减少为了得到所希望的光输出所需的工作电流的III族氮化物半导体激光元件。根据III族氮化物半导体激光元件(11)，将光谐振器的第一反射膜(43a)以具有小于60％的反射率的方式形成，并将光谐振器的第二反射膜(43b)以具有85％以上的反射率的方式形成。因而，能够避免阈值电流的增加引起的振荡特性的劣化，并且能够避免光谐振器内的光密度的空间的不均匀的发生。在两端面(26、28)的反射率过低时，由于镜面损耗的增加而阈值电流增加。在两端面(26、28)的反射率过高时，由于光谐振器内的光密度的空间的不均匀的生成而激光增益下降。由于该光密度不均匀(空间的烧孔效应)的发生，不仅是在I-L特性观察到扭曲的现象，而且也会使电力/光输出转换效率下降。

主权项

一种III族氮化物半导体激光元件，具备：激光结构体，包含具有由III族氮化物半导体构成的半极性主面的支承基体及在所述支承基体的所述半极性主面上设置的半导体区域；第一反射膜，设置在所述半导体区域的第一端面上，用于该氮化物半导体激光元件的光谐振器；以及第二反射膜，设置在所述半导体区域的第二端面上，用于该氮化物半导体激光元件的光谐振器，所述激光结构体包含在所述支承基体的所述半极性主面上延伸的激光波导，所述半导体区域包含活性层，所述活性层具备氮化镓系半导体层，表示所述支承基体的所述III族氮化物半导体的<0001>轴的方向的c+轴向量相对于表示所述半极性主面的法线轴的方向的法线向量向所述III族氮化物半导体的m轴的结晶轴的方向以63度以上且小于80度的范围的倾斜角倾斜，所述第一反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内小于60％，所述第二反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内为85％以上。