[发明专利]III族氮化物半导体激光元件

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光元件，

具备：激光结构体，包含具有由III族氮化物半导体构成的半极性主面的支承基体及在所述支承基体的所述半极性主面上设置的半导体区域；

第一反射膜，设置在所述半导体区域的第一端面上，用于该氮化物半导体激光元件的光谐振器；以及

第二反射膜，设置在所述半导体区域的第二端面上，用于该氮化物半导体激光元件的光谐振器，

所述激光结构体包含在所述支承基体的所述半极性主面上延伸的激光波导，

所述半导体区域包含活性层，

所述活性层具备氮化镓系半导体层，

表示所述支承基体的所述III族氮化物半导体的<0001>轴的方向的c+轴向量相对于表示所述半极性主面的法线轴的方向的法线向量向所述III族氮化物半导体的m轴的结晶轴的方向以63度以上且小于80度的范围的倾斜角倾斜，

所述第一反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内小于60％，

所述第二反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内为85％以上。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述III族氮化物半导体激光元件具有脊形结构。

3.根据权利要求2所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

所述半导体区域包含由III族氮化物构成的接触层和由III族氮化物构成的光引导层，

所述光引导层设置在所述活性层与所述接触层之间，

所述脊形结构具有被设置成包含所述接触层和所述光引导层的一部分的高度。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述第一反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内为30％以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述第二反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内为99.9％以下。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述第一反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内为35％以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述第一反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内处于55％以下的范围。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述第一反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内为50％以下。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述第一反射膜的反射率在525～545nm的波长范围内为40％以上。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述倾斜角为70度以上。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述倾斜角小于80度。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述支承基体的主面从{20-21}面以-4度以上且4度以下的范围倾斜。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述支承基体的主面包含{20-21}。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，所述支承基体包含GaN基板。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

所述第一反射膜包含电介质多层膜，

所述第二反射膜包含电介质多层膜。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其中，

所述支承基体具有与所述半导体区域的所述第一端面相连的第一基体端面，

所述第一反射膜设置在所述基体端面上，

所述支承基体具有与所述半导体区域的所述第二端面相连的第二基体端面，

所述第二反射膜设置在所述第二基体端面上。