[发明专利]III族氮化物半导体激光元件

说明书

技术领域

本发明涉及III族氮化物半导体激光元件。

背景技术

在专利文献1中记载有III族氮化物半导体激光元件。

在非专利文献1～非专利文献3中公开了在c面上制作的半导体激光的特性。在非专利文献4及非专利文献5中公开了在半极性面上制作的半导体激光的特性。在非专利文献6中公开了绝对温度161K～246K的范围内的激光振荡，并公开了508nm～520nm的波长范围的发光。非在专利文献7中，公开了波长520nm的发光，通过分裂而形成的前端面及后端面的反射率为了得到激光振荡而分别为97％及99％。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-077393号公报

非专利文献

非专利文献1：S.Lutgen,D.Dini,I.Pietzonka,S.Tautz,A.Breidenassel,A.Lell,A.Avramescu,C.Eichler,T.Lermer,J.Muller,G.Bruederl,A.Gomez,U.Strauss,W.G.Scheibenzuber,U.T.Schwarz,B.Pasenow,and S.Koch：Proc.SPIE 7953(2011)79530G

非专利文献2：T.Miyoshi,S.Masui,T.Okada,T.Yanamoto,T.Kozaki,S.Nagahama,and T.Mukai：Appl.Phys.Express 2(2009)062201

非专利文献3：T.Miyoshi,S.Masui,T.Okada,T.Yanamoto,T.Kozaki,S.Nagahama,and T.Mukai：Phys.Status Solidi A 207(2010)1389

非专利文献4：J.W.Raring,M.C.Schmidt,C.Poblenz,Y.Chang,M.J.Mondry,B.Li,J.Iveland,B.Walters,M.R.Krames,R.Craig,P.Rudy,J.S.Speck,S.P.DenBaars,and S.Nakamura：Appl.Phys.Express 3(2010)112101

非专利文献5：J.W.Raring：presented at ICNS9,9th Int.Conf.Nitride Semiconductors,2011

非专利文献6：D.Sizov,R.Bhat,K.Song,D.Allen,B.Paddock,S.Coleman,L.C.Hughes,and C.Zah：Appl.Phys.Express 4(2011)102103

非专利文献7：You-Da Lin,Shuichiro Yamamoto,Chia-Yen Huang,Chia-Lin Hsiung,Feng Wu,Kenji Fujito,Hiroaki Ohta,James S.Speck,Steven P.DenBaars,and Shuji Nakamura：Appl.Phys.Express 3(2010)082001

发明内容

发明要解决的课题

例如非专利文献4中，报告了使用III族氮化物半导体能够进行长波长的激光振荡的情况。通过提高光谐振器的反射率，容易实现激光振荡。在较多的研究中，着眼于激光振荡的有无、激光振荡的阈值电流的减少，进而着眼于光功率的增强等的特性。

在上述那样的状况下的研究/开发中，关于光谐振器的反射率，几乎未关注，推测为使用了上述特性的改善用的值。

根据发明人的研究，在使用半极性面的III族氮化物半导体激光元件中，可认为光谐振器的端面品质及反射率会影响半导体元件的可靠性及I-L特性曲线的线形性。在上述那样的研究/开发的背景下，以使用半极性面的III族氮化物半导体激光元件的技术的复杂度及困难度为起因，到目前为止在III族氮化物半导体激光元件中还无法充分掌握为了提高特性而应改善的对象。

本发明目的在于提供一种能够减少为了得到所希望的光输出所需的工作电流的III族氮化物半导体激光元件。

用于解决课题的方案