[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380024388.2 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104285302B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宫本敏行;野村昌史;羽持贵士;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供可防止由静电放电损伤引起的产率下降的高可靠性的半导体装置。提供一种半导体装置，该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层。第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低。第二栅极绝缘层含有氮且具有比第一栅极绝缘层低的氢浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅电极层；所述栅电极层上的第一栅极绝缘层；所述第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层；所述第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层；以及与所述氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层，其中，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度，所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层都包含氮化硅，所述第二栅极绝缘层具有比所述第一栅极绝缘层低的氢浓度，所述氧化物半导体层包括第一氧化物半导体层和所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层的叠层结构，并且，所述第一氧化物半导体层中铟的含量多于镓的含量，并且所述第二氧化物半导体层中铟的含量少于或等于镓的含量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380024388.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
