[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201380024388.2 | 申请日： | 2013-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN104285302B | 公开（公告）日： | 2017-08-22 |
| 发明（设计）人： | 宫本敏行;野村昌史;羽持贵士;冈崎健一 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1345;G02F1/1368;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 吴宗颐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，包括：
栅电极层；
所述栅电极层上的第一栅极绝缘层；
所述第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层；
所述第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层；以及
与所述氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层，
其中，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度，
所述第一栅极绝缘层及所述第二栅极绝缘层都包含氮化硅，
所述第二栅极绝缘层具有比所述第一栅极绝缘层低的氢浓度，
所述氧化物半导体层包括第一氧化物半导体层和所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层的叠层结构，
并且，所述第一氧化物半导体层中铟的含量多于镓的含量，并且所述第二氧化物半导体层中铟的含量少于或等于镓的含量。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅电极层包括铜。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：
覆盖所述源电极层及所述漏电极层且与所述氧化物半导体层部分接触的第一绝缘层；以及
所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
其中所述第一绝缘层包含含有氮且具有比所述第二绝缘层低的氢浓度的硅膜，
并且所述第二绝缘层包含含有氮且对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低的硅膜。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体装置为选自具有显示部的桌子、电视装置、计算机和平板终端中的一个。
5.一种半导体装置，包括：
栅电极层；
所述栅电极层上的第一栅极绝缘层；
所述第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层；
所述第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层；以及
与所述氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层，
其中，所述第二栅极绝缘层的厚度小于所述第一栅极绝缘层的厚度，
所述第一栅极绝缘层包含含有氮且对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低的硅膜，
所述第二栅极绝缘层包含含有氮且具有比所述第一栅极绝缘层低的氢浓度的硅膜，
所述氧化物半导体层包括第一氧化物半导体层和所述第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层的叠层结构，
并且，所述第一氧化物半导体层中铟的含量多于镓的含量，并且所述第二氧化物半导体层中铟的含量少于或等于镓的含量。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述栅电极层包括铜。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：
覆盖所述源电极层及所述漏电极层且与所述氧化物半导体层部分接触的第一绝缘层；以及
所述第一绝缘层上的第二绝缘层，
其中所述第一绝缘层包含含有氮且具有比所述第二绝缘层低的氢浓度的硅膜，
并且所述第二绝缘层包含含有氮且对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低的硅膜。
8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述半导体装置为选自具有显示部的桌子、电视装置、计算机和平板终端中的一个。
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