[发明专利]氮化物半导体发光元件有效
| 申请号： | 201380023054.3 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN104272477B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 谷善彦;竹冈忠士;栗栖彰宏;花本哲也;马修.先尼 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其包含多重量子阱发光层，该多重量子阱发光层从接近p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，第一发光层具备多个第一量子阱层和设于多个第一量子阱层之间的第一势垒层，第二发光层具备多个第二量子阱层和设于多个第二量子阱层之间的第二势垒层，第二量子阱层比第一量子阱层厚。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体发光元件，其具备：n型氮化物半导体层、p型氮化物半导体层、设于所述n型氮化物半导体层和所述p型氮化物半导体层之间的多重量子阱发光层，所述多重量子阱发光层从接近所述p型氮化物半导体层的一侧起，具备第二发光层、第三势垒层、第一发光层，所述第一发光层具备多个第一量子阱层和设于所述多个第一量子阱层之间的第一势垒层，所述第二发光层具备多个第二量子阱层和设于所述多个第二量子阱层之间的第二势垒层，所述第二量子阱层比所述第一量子阱层厚，所述第二势垒层比所述第一势垒层薄，在所述p型氮化物半导体层与距所述p型氮化物半导体层最近位置的所述第二势垒层之间存在所述第二量子阱层。
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