[发明专利]半导体装置以及使用该半导体装置的功率转换装置

摘要

本发明提供了一种施加了负电压浪涌时，具有能够防止他相的高侧驱动电路的误动作的置位用和复位用这两个电平移位电路的半导体装置和使用该半导体装置的功率转换装置。3相单芯片栅极驱动器IC等半导体装置(100)中，通过在非相对面(11)、(12)配置构成置位用和复位用这两个电平移位电路(6)、(7)的HVNMOS(28)，能够减少因负电压浪涌流入他相的HVNMOS(28)的漏极(26)的电子流量。此外，将从对手侧的相对面(9)到构成置位用和复位用这两个电平移位电路(6)、(7)的HVNMOS(28)的漏极(26)的各自的距离(K1)和(K2)设置为150μm以上，能够防止未施加负浪涌的他相的高侧驱动电路的误动作。

主权项

一种半导体装置，具备：多个第2导电型的第1阱区，所述多个第2导电型的第1阱区被第1导电型区域所包围，以相互分开的方式设置在半导体基板的表面层；以及第1导电型的第2阱区，所述第1导电型的第2阱区被设置成与多个所述第1阱区中的所有第1阱区相接，从而构成所述第1导电型区域，并被施加低电位，多个所述第1阱区具有：设置在所述第1阱区的表面层且低电位侧的电位高于所述低电位的高侧驱动电路；与所述高侧驱动电路的电源的高电位侧连接且设置在所述第1阱区的所述表面层的第2导电型的拾取区域；设置在所述第2阱区和所述拾取区域之间的所述第1阱区中的高耐压结终端结构；以及设置在所述高耐压结终端结构和所述第2阱区的一部分并发送用于驱动所述高侧驱动电路的信号的两个电平移位元件，所述半导体装置的特征在于，所述两个电平移位元件被配置于不与相邻的所述第1阱区相对的非相对面，所述第1阱区和所述第2阱区的pn接合面中与相邻的所述第1阱区相对的pn接合面开始直到所述两个电平移位元件的高电位区域为止的距离都在150μm以上。