[发明专利]用于在半导体衬底上构造接触部的方法和半导体装置无效

申请号：	201380012814.0	申请日：	2013-01-29
公开（公告）号：	CN104170062A	公开（公告）日：	2014-11-26
发明（设计）人：	T·辛纳;M·格里布	申请（专利权）人：	罗伯特·博世有限公司
主分类号：	H01L21/285	分类号：	H01L21/285;H01L21/04
代理公司：	永新专利商标代理有限公司 72002	代理人：	郭毅
地址：	德国斯***	国省代码：	德国;DE
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摘要：	本发明涉及一种用于在半导体衬底(50)上构造接触部的方法，所述方法具有以下步骤：将至少一种金属(66)施加在所述半导体衬底(50)的外侧的至少一个暴露的部分面(68)上和/或在所述半导体衬底(50)上施加的层的至少一个暴露的部分面(68)上，其中，所述部分面(68)由绝缘层(58)的至少一个边缘区域(70)包围，其中，至少部分地以所述至少一种金属(66)覆盖所述绝缘层(58)的所述至少一个边缘区域(70)；加热所述半导体衬底(50)，由此在所述至少一个部分面(68)上施加的至少一种金属(66)与所述至少一个部分面(68)的至少一种半导体材料反应成半导体金属材料作为所述至少一个接触部的最终材料或者再加工材料；并且在使用蚀刻材料的情况下，以比用于所述半导体金属材料的蚀刻率更高的用于所述至少一种金属(66)的蚀刻率实施蚀刻步骤。此外，本发明涉及一种半导体装置。
搜索关键词：	用于半导体衬底构造接触方法装置
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【主权项】：

一种用于在半导体衬底(50)上构造接触部(80)的方法，所述方法具有以下步骤：‑将至少一种金属(66)施加在所述半导体衬底(50)的外侧的至少一个暴露的部分面(68)上和/或在所述半导体衬底(50)上施加的层的至少一个暴露的部分面(68)上，其中，所述部分面(68)由绝缘层(58)的至少一个边缘区域(70)包围，其中，至少部分地以所述至少一种金属(66)覆盖所述绝缘层(58)的所述至少一个边缘区域(70)(S1)；‑加热具有在所述至少一个部分面(68)上并且在所述至少一个边缘区域(70)上施加的至少一种金属(66)的半导体衬底(50)，由此在所述至少一个部分面(68)上施加的至少一种金属(66)与所述至少一个部分面(68)的至少一种半导体材料反应成半导体金属材料作为所述至少一个接触部(80)的最终材料或者再加工材料(S3)；并且‑在使用蚀刻材料的情况下，以比用于所述半导体金属材料的蚀刻率更高的用于所述至少一种金属(66)的蚀刻率实施蚀刻步骤(S4)。

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