[发明专利]用于在半导体衬底上构造接触部的方法和半导体装置

权利要求书

1.一种用于在半导体衬底(50)上构造接触部(80)的方法，所述方法具有以下步骤：

-将至少一种金属(66)施加在所述半导体衬底(50)的外侧的至少一个暴露的部分面(68)上和/或在所述半导体衬底(50)上施加的层的至少一个暴露的部分面(68)上，其中，所述部分面(68)由绝缘层(58)的至少一个边缘区域(70)包围，其中，至少部分地以所述至少一种金属(66)覆盖所述绝缘层(58)的所述至少一个边缘区域(70)(S1)；

-加热具有在所述至少一个部分面(68)上并且在所述至少一个边缘区域(70)上施加的至少一种金属(66)的半导体衬底(50)，由此在所述至少一个部分面(68)上施加的至少一种金属(66)与所述至少一个部分面(68)的至少一种半导体材料反应成半导体金属材料作为所述至少一个接触部(80)的最终材料或者再加工材料(S3)；并且

-在使用蚀刻材料的情况下，以比用于所述半导体金属材料的蚀刻率更高的用于所述至少一种金属(66)的蚀刻率实施蚀刻步骤(S4)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，以距至少一个栅极堆叠结构(52)一间距(a1)地构造所述接触部(80)中的至少一个，所述间距小于10纳米。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，在所述至少一种金属(66)的施加和所述半导体衬底(50)的加热之间实施在蚀刻方向(72)上的至少一个离子束蚀刻步骤，所述蚀刻方向倾斜于与所述半导体衬底(50)的外侧垂直地定向的轴线(74)。

4.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，施加镍、钛、铝、钽和/或钨作为所述至少一种金属(66)。

5.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，在施加所述至少一种金属(66)之前在所述半导体衬底(50)的外侧的至少一个部分外侧上和/或在在所述半导体衬底(50)上施加的层上构造所述绝缘层(58)并且在待构造的至少一个接触部(80)的至少一个部位处使所述半导体衬底(50)的外侧的所述至少一个部分面(68)和/或在所述半导体衬底(50)上施加的层的至少一个部分面暴露。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，将至少一个二氧化硅层和/或氮化硅层构造为所述绝缘层(58)。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中，至少一个栅极堆叠结构(52)和/或至少一个栅极堆叠子结构(54，56)由所述绝缘层(58)覆盖。

8.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述加热期间将所述半导体衬底(50)加热到至少600℃的温度上。

9.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，在使用蚀刻材料的情况下以比用于所述半导体金属材料的蚀刻率更高的用于所述至少一种金属(66)的蚀刻率实施各向同性的蚀刻步骤作为所述蚀刻步骤。

10.根据以上权利要求中任一项所述的方法，其中，构造至少一个源极接触部作为所述至少一个接触部(80)。

11.一种半导体装置，所述半导体装置具有：

一个半导体衬底(50)；

设置在所述半导体衬底(50)的外侧的至少一个部分面(68)上和/或中的和/或在所述半导体衬底(50)上施加的层的至少一个部分面上和/或中的至少一个接触部(80)，所述至少一个接触部由半导体金属材料构造；和

设置在所述半导体衬底(50)的外侧上的和/或在所述半导体衬底(50)上施加的层上的栅极堆叠结构(52)，所述栅极堆叠结构与所述接触部(80)中的至少一个相邻；

其特征在于，

所述至少一个栅极堆叠结构(52)与所述接触部(80)中的至少一个之间的间距(a1)小于10纳米。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述至少一个栅极堆叠结构(52)与所述接触部(80)的至少一个之间的间距(a1)小于5纳米。

13.根据权利要求11或12所述的半导体装置，其中，所述至少一个接触部(80)以距所述至少一个栅极堆叠结构(52)一小于10纳米的间距地由其包围。

14.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体装置，其中，所述至少一个接触部(80)是源极接触部。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的半导体装置，其中，所述至少一个接触部(80)由至少部分地覆盖所述栅极堆叠结构(52)或者栅极堆叠子结构(54，56)的绝缘层(58)包围，所述绝缘层在其外表面上具有镍、钛、铝、钽和/或钨的残余痕迹。