[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明为具有由双重降低表面电场构造构成的高耐压分离构造的半导体装置，具备分离低电位区和高电位区的高耐压分离构造。高耐压分离构造的平面形状为环形的带状，由直线部分和与该直线部分连接的角部分构成。在高耐压分离构造中，在n型阱区的基板正面侧的表面层，沿n型阱区的外周形成p型降低表面电场区。通过使角部分的降低表面电场区的单位面积的总杂质量相比于直线部分而减少，可以使成为角部分的耐压曲线(32)的峰值的注入剂量的位置(32a)与成为直线部分的耐压曲线(31)的峰值的注入剂量的位置(31a)一致。其结果可提高元件耐压，并抑制由于工序的偏差而导致的元件耐压的降低。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第二导电型的阱区，其选择性地形成于第一导电型的半导体基板正面的表面层；第一导电型的第一区域，其以环状的平面形状形成在所述阱区的内部；第二导电型的第二区域，其以环状的平面形状形成在所述阱区的内部的所述第一区域的内侧；第一导电型的降低表面电场区，其形成在所述阱区的内部的所述第一区域和所述第二区域之间；和高耐压分离构造，其由所述半导体基板和所述降低表面电场区夹着所述阱区的双重降低表面电场构造构成，其中，所述高耐压分离构造具有由直线部分和与所述直线部分相连的有固定曲率的角部分构成的平面形状，所述角部分的所述降低表面电场区具有高浓度区和比所述高浓度区的扩散深度浅，杂质浓度低的低浓度区，所述降低表面电场区的所述直线部分的单位面积的第一净总杂质量以及所述降低表面电场区的所述角部分的单位面积的第二净总杂质量均为1.4×1012[/cm2]以下，所述阱区的第三净总杂质量为2.8×1012[/cm2]以下，从所述第三净总杂质量减去所述第一净总杂质量而得到的值以及从所述第三净总杂质量减去所述第二净总杂质量而得到的值均为1.4×1012[/cm2]以下，所述第二净总杂质量比所述第一净总杂质量少，在所述降低表面电场区的所述角部分的耐压比在所述降低表面电场区的所述直线部分的耐压低。