[实用新型]氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 201320842722.2 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN203859117U | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘玉成;蔡世星;袁波 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种氧化物半导体晶体管，包括：基板；形成在基板上的氧化物半导体层；形成在氧化物半导体层上的栅电极绝缘层；形成在氧化物半导体层上的替代功能层；形成在替代功能层上，位于栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。其通过在氧化物半导体层上制备替代功能层，代替氧化物半导体层作为引线使用，有效减小了源/漏电极与氧化物半导体层间的接触电阻，并通过自对准结构，减小了栅电极与源/漏电极之间的寄生电容，实现了顶栅结构的氧化物半导体晶体管的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括： 基板； 形成在所述基板上的氧化物半导体层； 形成在所述氧化物半导体层上的栅电极绝缘层； 形成在所述氧化物半导体层上的替代功能层； 形成在所述替代功能层上，位于所述栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。
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