[实用新型]氧化物半导体晶体管

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件领域，特别是涉及一种氧化物半导体晶体管。 

背景技术

驱动有源矩阵显示基板，包括非晶硅晶体管、低温多晶硅晶体管和氧化物半导体晶体管；非晶硅晶体管主要应用于中低分辨率的LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示面板)显示领域，低温多晶硅晶体管主要应用于中高分辨率的LCD显示领域和AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极体面板)显示领域，氧化物半导体晶体管则主要应用于中大尺寸的中高分辨率的LCD显示领域和中大尺寸的AMOLED显示领域。 

其中，氧化物半导体晶体管由于具有较高的迁移率和较好的面内均匀性，目前已得到广泛的研究与应用，通常，氧化物半导体晶体管的结构为底栅结构，如图1所示，由于底栅结构的氧化物半导体晶体管中栅电极与源/漏电极的重叠面积较大，导致氧化物半导体晶体管的寄生电容和晶体管尺寸均相对较大，从而限制其应用。相对于底栅结构，具有顶栅结构的晶体管则具有更小的寄生电容和晶体管尺寸，但是，顶栅结构的LIPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅技术)工艺可以通过离子注入的方式，降低LIPS作为晶体管引线的电阻，而氧化物半导体晶体管的顶栅结构，则还没有有效的方式降低氧化物半导体层作为引线的电阻，从而限制了氧化物半导体晶体管采用顶栅结构的制作方式。 

实用新型内容

基于此，有必要针对不能有效降低氧化物半导体层作为引线的电阻，从而限制氧化物半导体晶体管采用顶栅结构的制作方式的问题，提供一种氧化物半导体晶体管。 

一种氧化物半导体晶体管，包括： 

基板； 

形成在所述基板上的氧化物半导体层； 

形成在所述氧化物半导体层上的栅电极绝缘层； 

形成在所述氧化物半导体层上的替代功能层； 

形成在所述替代功能层上，位于所述栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。 

在其中一个实施例中，所述替代功能层为自对准结构。 

在其中一个实施例中，还包括： 

形成在所述栅电极绝缘层上的栅电极； 

其中，所述栅电极上形成有所述替代功能层。 

在其中一个实施例中，所述替代功能层的材料为钼、钛、钼合金、或钛合金。 

在其中一个实施例中，还包括： 

形成在所述基板与所述氧化物半导体层之间的衬底； 

其中，所述衬底为无机层。 

在其中一个实施例中，所述氧化物半导体层中的氧化物半导体为IGZO。 

在其中一个实施例中，所述栅电极绝缘层的结构为氮化硅、或/和氧化硅单层或多层复合结构。 

在其中一个实施例中，所述栅电极绝缘层形状为倒梯形。 

在其中一个实施例中，所述栅电极的结构为钼、铜、铝、钼合金、铜合金、或铝合金形成的单层或叠层结构。 

在其中一个实施例中，所述源/漏电极的结构均为钼、铜、或铝金属形成的单层或叠层结构。 

本实用新型提供的氧化物半导体晶体管，通过在氧化物半导体层上制备替代功能层，以替代功能层代替氧化物半导体层作为引线使用，有效地减小了顶栅结构的氧化物半导体晶体管中，源/漏电极与氧化物半导体层间的接触电阻，解决了不能有效降低氧化物半导体层作为引线的电阻的问题，使得氧化物半导体晶体管采用顶栅结构的制作方式不再受到限制。 

附图说明

图1为底栅结构的氧化物半导体晶体管截面图； 

图2A为本实用新型氧化物半导体晶体管的截面图； 

图2B为本实用新型氧化物半导体晶体管的俯视图； 

图3A为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长氧化物半导体层后的截面图； 

图3B为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长氧化物半导体层后的俯视图； 

图4A为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长栅电极后的截面图； 

图4B为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长栅电极后的俯视图； 

图5A为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长替代功能层后的截面图； 

图5B为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长替代功能层后的俯视图； 

图6A为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长层间绝缘层后的截面图； 

图6B为本实用新型氧化物半导体晶体管的生长层间绝缘层后的俯视图。 

具体实施方式