[实用新型]氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 201320842722.2 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN203859117U | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 刘玉成;蔡世星;袁波 | 申请（专利权）人： | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 唐清凯 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化物 半导体 晶体管 | ||
1.一种氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括：
基板；
形成在所述基板上的氧化物半导体层；
形成在所述氧化物半导体层上的栅电极绝缘层；
形成在所述氧化物半导体层上的替代功能层；
形成在所述替代功能层上，位于所述栅电极绝缘层两侧的源/漏电极。
2.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述替代功能层为自对准结构。
3.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括：
形成在所述栅电极绝缘层上的栅电极；
其中，所述栅电极上形成有所述替代功能层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述替代功能层的材料为钼、钛、钼合金、或钛合金。
5.根据权利要求1所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，还包括：
形成在所述基板与所述氧化物半导体层之间的衬底；
其中，所述衬底为无机层。
6.根据权利要求4所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层中的氧化物半导体为IGZO。
7.根据权利要求6所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述栅电极绝缘层的结构为氮化硅、或/和氧化硅单层或多层复合结构。
8.根据权利要求7所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述栅电极绝缘层形状为倒梯形。
9.根据权利要求3所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述栅电极的结构为钼、铜、铝、钼合金、铜合金、或铝合金形成的单层或叠层结构。
10.根据权利要求3所述的氧化物半导体晶体管，其特征在于，所述源/漏电极的结构均为钼、铜、或铝金属形成的单层或叠层结构。
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