[实用新型]一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管有效
申请号: | 201320706468.3 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN203536436U | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 刘文俊 | 申请(专利权)人: | 江苏欧美电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L33/58 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 213200 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,包括基座、电路板、红光二极管芯片和黄光二极管芯片以及球面外形的外封装透镜,外封装透镜封装设在基座上,红光二极管芯片上封装有具有红荧光粉的第一内透镜,黄光二极管芯片上封装有具有黄荧光粉的第二内透镜,红光二极管芯片穿过基座引出有第一正引脚和第一负引脚,黄光二极管芯片穿过基座引出有第二正引脚和第二负引脚,电路板上设有齐纳二极管,齐纳二极管分别与红光二极管芯片和黄光二极管芯片相连接。所述的一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,采用此种设计的二极管,根据需要随意调节选择红光二极管或黄光二极管,并且能够避免出现静电的产生,同时具备高的出光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 亮度 低光衰高防 静电 发光二极管 | ||
【主权项】:
一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,其特征是:包括基座(1)、设在基座(1)上的电路板(2)、并排设在电路板(2)上的红光二极管芯片(3)和黄光二极管芯片(4)以及封装在红光二极管芯片(3)和黄光二极管芯片(4)外部的球面外形的外封装透镜(5),外封装透镜(5)封装设在基座(1)上,所述的红光二极管芯片(3)上封装有具有红荧光粉的第一内透镜(6),黄光二极管芯片(4)上封装有具有黄荧光粉的第二内透镜(7),所述的红光二极管芯片(3)穿过基座(1)引出有第一正引脚(8)和第一负引脚(9),黄光二极管芯片(4)穿过基座(1)引出有第二正引脚(10)和第二负引脚(11),所述的电路板(2)上设有齐纳二极管(12),齐纳二极管(12)分别与红光二极管芯片(3)和黄光二极管芯片(4)相连接。
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