[实用新型]一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管有效

专利信息
申请号: 201320706468.3 申请日: 2013-11-08
公开(公告)号: CN203536436U 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 刘文俊 申请(专利权)人: 江苏欧美电子科技有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L33/58
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213200 江苏省常州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 亮度 低光衰高防 静电 发光二极管
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及发光二极管的领域,尤其是一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管。

背景技术

自60年代起,发光二极管(Light Emitting Diode,LED)的耗电量低及长效性的发光等优势,已逐渐取代日常生活中用来照明或各种电器设备的指示灯或光源等用途。更有甚者,发光二极管朝向多色彩及高亮度的发展,已应用在大型户外显示广告牌或交通号志,显示其可应用的领域十分广泛。

目前使用的二极管,只具备单纯的一种灯光,在使用过程中如果需要别的光源,那就需要采用另一种二极管,另外,在使用目前的二极管时,容易受静电的干扰,造成LED被反向击穿灯现象,从而影响二极管的使用寿命。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是:为了克服上述中存在的问题,提供了一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,其设计结构合理并且能够实现多种光源同时发射出来、具备防静电的效果。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,包括基座、设在基座上的电路板、并排设在电路板上的红光二极管芯片和黄光二极管芯片以及封装在红光二极管芯片和黄光二极管芯片外部的球面外形的外封装透镜,外封装透镜封装设在基座上,所述的红光二极管芯片上封装有具有红荧光粉的第一内透镜,黄光二极管芯片上封装有具有黄荧光粉的第二内透镜,所述的红光二极管芯片穿过基座引出有第一正引脚和第一负引脚,黄光二极管芯片穿过基座引出有第二正引脚和第二负引脚,所述的电路板上设有齐纳二极管,齐纳二极管分别与红光二极管芯片和黄光二极管芯片相连接。

为了能够避免出现光源的损失,提升二极管的出光率,所述的外封装透镜的出光表面上设有复数个微透镜头,微透镜头为半圆弧形的透光颗粒,其透光颗粒的直径为0.2~0.25mm,相邻两颗透光颗粒之间的间距为0.1mm。

本实用新型的有益效果是:所述的一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,采用此种设计的二极管,能够在使用过程中,根据需要随意调节选择红光二极管或黄光二极管,并且能够避免出现静电的产生,同时具备高的出光效率。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型所述的一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管的整体结构示意图。

附图中标记分述如下:1、基座,2、电路板,3、红光二极管芯片,4、黄光二极管芯片,5、外封装透镜,6、第一内透镜,7、第二内透镜,8、第一正引脚,9、第一负引脚,10、第二正引脚,11、第二负引脚,12、齐纳二极管,13、微透镜头。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示的一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,包括基座1、设在基座1上的电路板2、并排设在电路板2上的红光二极管芯片3和黄光二极管芯片4以及封装在红光二极管芯片3和黄光二极管芯片4外部的球面外形的外封装透镜5,外封装透镜5封装设在基座1上,在外封装透镜5的出光表面上设有复数个微透镜头13,微透镜头13为半圆弧形的透光颗粒,其透光颗粒的直径为0.22mm,相邻两颗透光颗粒之间的间距为0.1mm,红光二极管芯片3上封装有具有红荧光粉的第一内透镜6,黄光二极管芯片4上封装有具有黄荧光粉的第二内透镜7,红光二极管芯片3穿过基座1引出有第一正引脚8和第一负引脚9,黄光二极管芯片4穿过基座1引出有第二正引脚10和第二负引脚11,电路板2上设有齐纳二极管12,齐纳二极管12分别与红光二极管芯片3和黄光二极管芯片4相连接。

本实用新型的一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管,在使用此发光二极管时,将导线分别与第一正引脚8、第二正引脚10、第一负引脚9、第二负引脚11相连接,在使用时,利用控制器进行控制第一正引脚8和第一负引脚9通电或/和第二正引脚10和第二负引脚11通电,从而实现了发出红光或/和发出黄光。

以上述依据本实用新型的理想实施例为启示,通过上述的说明内容,相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内,进行多样的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容,必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。

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