[实用新型]一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管

权利要求书

1.一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管，其特征是：包括基座（1）、设在基座（1）上的电路板（2）、并排设在电路板（2）上的红光二极管芯片（3）和黄光二极管芯片（4）以及封装在红光二极管芯片（3）和黄光二极管芯片（4）外部的球面外形的外封装透镜（5），外封装透镜（5）封装设在基座（1）上，所述的红光二极管芯片（3）上封装有具有红荧光粉的第一内透镜（6），黄光二极管芯片（4）上封装有具有黄荧光粉的第二内透镜（7），所述的红光二极管芯片（3）穿过基座（1）引出有第一正引脚（8）和第一负引脚（9），黄光二极管芯片（4）穿过基座（1）引出有第二正引脚（10）和第二负引脚（11），所述的电路板（2）上设有齐纳二极管（12），齐纳二极管（12）分别与红光二极管芯片（3）和黄光二极管芯片（4）相连接。

2.根据权利要求1所述的一种高亮度低光衰高防静电的发光二极管，其特征是:所述的外封装透镜（5）的出光表面上设有复数个微透镜头（13），微透镜头（13）为半圆弧形的透光颗粒，其透光颗粒的直径为0.2～0.25mm，相邻两颗透光颗粒之间的间距为0.1mm。