[实用新型]一种芯片封装测试结构有效
| 申请号： | 201320456561.3 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN203377200U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种芯片封装测试结构，所述测试结构至少包括：至少一个堆叠测试结构，每个堆叠测试结构包括：堆叠的金属层，包括至少两层金属层，每层金属层间通过通孔电连接；覆盖于所述堆叠的金属层中最顶端的金属层的焊垫，所述焊垫与所述最顶端的金属层电连接；环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的至少两块边缘金属层，所述边缘金属层与所述堆叠的金属层之间以绝缘介质材料填充；各所述边缘金属层彼此间绝缘。本实用新型提供的测试结构可以更加灵敏地测试出芯片介质层中的裂缝，并且该测试结构还可以测试通孔与通孔之间、金属层和金属层之间的漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种芯片封装测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：至少一个堆叠测试结构，每个测试结构包括：堆叠的金属层，包括至少两层金属层，每层金属层间通过通孔电连接；覆盖于所述堆叠的金属层中最顶端的金属层的焊垫，所述焊垫与所述最顶端的金属层电连接；环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的至少两块边缘金属层，所述边缘金属层与所述堆叠的金属层之间以绝缘介质材料填充；各所述边缘金属层彼此间绝缘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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