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[发明专利]可靠性管理系统和方法-CN201710066299.4在审
发明人：牛刚;赵晓东;于建姝 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可靠性管理系统和方法，涉及半导体技术领域。该可靠性管理系统包括：可靠性实验室管理单元，用于在接收到RTR单元的测试设备请求后，输出相应的测试设备信息至该RTR单元；以及该RTR单元用于：根据获得的待测试产品的产品信息向可靠性实验室管理单元发送测试设备请求；以及根据从可靠性实验室管理单元获得的测试设备信息，从相应的测试设备获取测试数据，并对测试数据进行分析处理，以获得产品测试报告，并根据产品测试报告判断产品是否通过可靠性检测。本发明实现了可靠性检测的自动化管理。
测试设备可靠性管理实验室管理可靠性检测测试数据产品测试半导体技术领域待测试产品自动化管理产品信息单元发送分析处理输出

[发明专利]半导体结构及切断其中存储单元区块连接的方法-CN201410129853.5有效
发明人：牛刚;于建姝;刘竞文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构，至少包括：半导体衬底及自左向右依次形成于所述半导体衬底上并通过隔离结构相互隔离的第一存储单元区块、第一晶体管、第二晶体管及第二存储单元区块；所述第一存储单元区块与所述第一晶体管连接；所述第二存储单元区块与所述第二晶体管连接；所述第一晶体管与所述第二晶体管通过一金属桥结构连接；所述金属桥结构两端上方连接有两个焊垫。本发明的半导体结构中，存储单元区块之间采用金属连接取代多晶硅连接，在需要切断连接时，可以通过在金属桥结构两端施加小电流，利用电迁移原理切断存储单元区块之间的连接，切断率为100%，可以有效提高器件的可靠性。
存储单元区块晶体管半导体结构金属桥第二存储单元晶体管连接结构两端衬底区块半导体隔离结构结构连接金属连接切断连接电迁移多晶硅小电流焊垫施加隔离

[发明专利]一种测试器件热载流子注入效应的方法-CN201410150300.8有效
发明人：牛刚;于建姝 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-11 - 公布日： 2017-11-24 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明提供一种测试器件热载流子注入效应的方法，首先根据实测Idsat退化拟合直线的斜率及坐标（TTF，10%）得到最大Idsat退化直线，并计算其上第一时间t1所对应的纵坐标值A；再计算实测Idsat退化拟合直线上纵坐标值A所对应的横坐标t1’；然后根据实测Idlin退化拟合直线，计算该直线上t1’所对应的纵坐标B，并以平均值B’作为标准参数值；若待测试样品在t1时的Idlin退化值小于或等于B’，则判断该测试样品正常。通过本发明能够准确反映器件的性能，且测试过程不会导致样品性能参数发生严重退化，从而使得测试以后，该样品还能够用于其它类型的测试。本发明还能够缩短测试时间周期，将每个样品的测试时间从10000秒减少到100秒，极大提高了测试效率，降低器件制造成本。
一种测试器件载流子注入效应方法

[实用新型]成像装置以及读取晶圆激光标记的装置-CN201520692309.1有效
发明人：段晓博;于建姝;牛刚;林立平 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-09-07 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种成像装置以及读取晶圆激光标记的装置，包括支架、放大镜、平面镜以及承载框，所述平面镜和所述放大镜由上到下依次活动连接在所述支架上，所述承载框位于所述放大镜的下方，所述承载框上设置有若干用于支撑的凸杆。本实用新型中，将晶圆按照封装箱中相对应的位置放置在承载框中，由凸杆卡住，转动放大镜和平面镜即可对每一片晶圆进行观察，不会在晶圆中引入缺陷，并保证观察的准确，从而提高工艺效率。
成像装置以及读取激光标记

[发明专利]芯片测试结构及其测试方法-CN201310130297.9在审
发明人：牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-15 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示了一种芯片测试结构，用于测试芯片裂开的原因，包括：平行且相互绝缘的第一测试金属线以及第二测试金属线；所述第一测试金属线与第二测试金属线为同一层金属制成；所述第一测试金属线与第二测试金属线均具有始端垫片以及终端垫片，并各自围绕芯片的保护环构成非封闭的环状，且所述第一测试金属线位于所述第二测试金属线的外侧。本发明还提供该芯片测试结构的测试方法，本发明的芯片测试结构，能准确评估封装后的芯片裂开是前道制造的过程中形成的，还是后道制造的过程中形成的。
芯片测试结构及其方法

[实用新型]MIM测试结构-CN201420147550.1有效
发明人：牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型揭露了一种MIM测试结构，包括多个MIM模块组成的MIM阵列，下层金属层包括至少一组长条形金属线，每组长条形金属线包括两条平行设置的第一金属线和第二金属线，其中第一金属线的一端连接第一检测垫，第二金属线的一端连接第二检测垫，所述上层金属层包括多个阵列排布的矩形金属，每个矩形金属与一组长条形金属线部分重合，所述矩形金属与其下方的第一金属线连接，每个矩形金属与其下方的绝缘层以及金属线形成一个MIM模块。这样可以有效的避免应力引起的边缘效应，从而大大提高MIM结构的各项可靠性测试的准确率和成功率。
mim 测试结构

[发明专利]GOI_TDDB测试电路结构-CN201210442011.6有效
发明人：牛刚;刘竞文;于建姝;赵晓东;段晓博 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种GOI_TDDB测试电路结构，包括：衬底；多个栅氧层，形成于所述衬底上，所述栅氧层相互平行且呈指状分布；多晶硅层，沉积于所述栅氧层上，所述多晶硅层相互平行且呈指状分布；源极区和漏极区，分别位于最外侧栅氧层远离其他栅氧层的外侧衬底；STI，形成于所述衬底中，位于各个栅氧层之间以及位于栅氧层、源极区和漏极区的外侧。本发明由于采用了相互平行且呈指状分布的栅氧层和多晶硅层，在相邻栅氧层之间增加了STI，并且采用了宽度大于等于1.3um的源极区和漏极区，进而当导电沟道宽度低于65nm时可有效的保护GOI_TDDB测试电路结构中的栅氧层的形貌，进而使得GOI_TDDB测试的结果准确可靠。
goi_tddb 测试电路结构

[实用新型]一种芯片封装测试结构-CN201320456561.3有效
发明人：牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-07-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种芯片封装测试结构，所述测试结构至少包括：至少一个堆叠测试结构，每个堆叠测试结构包括：堆叠的金属层，包括至少两层金属层，每层金属层间通过通孔电连接；覆盖于所述堆叠的金属层中最顶端的金属层的焊垫，所述焊垫与所述最顶端的金属层电连接；环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的至少两块边缘金属层，所述边缘金属层与所述堆叠的金属层之间以绝缘介质材料填充；各所述边缘金属层彼此间绝缘。本实用新型提供的测试结构可以更加灵敏地测试出芯片介质层中的裂缝，并且该测试结构还可以测试通孔与通孔之间、金属层和金属层之间的漏电。
一种芯片封装测试结构

[实用新型]探针卡清洗装置-CN201220610658.0有效
发明人：牛刚;于建姝;赵晓东;刘冰冰;陈育浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种探针卡清洗装置，用于对探针卡的探针尖进行清洗，包括一个单侧开口的容器和分别设于所述容器开口两端的用于安装所述探针卡的两个支撑部，所述容器用于盛放清洗液，所述容器内侧壁上正对所述探针尖的位置设有超声波发生器。本实用新型通过设置一个放置清洗液的容器，同时在容器开口处设置支撑部实现对探针卡的固定，在所述容器内设置超声波发生器，配合容器中的清洗液实现对探针卡的清洗，从而避免了手工操作的危险性和对探针尖的损伤，提供一种能够对探针卡进行自动清洗的装置。
探针清洗装置

[发明专利]一种去除芯片陶瓷封装体的方法-CN200910195572.9有效
发明人：李爱民;于建姝;段晓博;刘冰冰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： G01R31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种去除芯片陶瓷封装体的方法，所述芯片粘贴在所述陶瓷封装体上，所述芯片表面的焊点与所述陶瓷封装体上的引脚之间通过引线键合，包括以下步骤：去除所述连接芯片表面焊点与陶瓷封装体上的引脚的引线；对所述芯片及所述陶瓷封装体进行加热；使用去离子水对所述芯片进行冲洗，使所述芯片从所述陶瓷封装体上脱落。本发明提供的去除芯片陶瓷封装体的方法不会损害芯片内部的金属互连线，保证了利用完成了电迁移测试的芯片进行进一步失效分析时可得到准确的失效分析结果。该方法易操作，且可取得明显的有益效果。
一种去除芯片陶瓷封装方法

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