[实用新型]一种芯片封装测试结构有效
| 申请号： | 201320456561.3 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN203377200U | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 测试 结构 | ||
1.一种芯片封装测试结构，其特征在于，所述测试结构至少包括：至少一个堆叠测试结构，每个测试结构包括：
堆叠的金属层，包括至少两层金属层，每层金属层间通过通孔电连接；
覆盖于所述堆叠的金属层中最顶端的金属层的焊垫，所述焊垫与所述最顶端的金属层电连接；
环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的至少两块边缘金属层，所述边缘金属层与所述堆叠的金属层之间以绝缘介质材料填充；各所述边缘金属层彼此间绝缘。
2.根据权利要求1所述的芯片封装测试结构，其特征在于：所述焊垫上设有与外界键合的焊球。
3.根据权利要求1所述的芯片封装测试结构，其特征在于：所述焊垫为铝焊垫。
4.根据权利要求1所述的芯片封装测试结构，其特征在于：所述每一层金属层为正方形，且各金属层在水平面上的投影重合。
5.根据权利要求1或4所述的芯片封装测试结构，其特征在于：所述边缘金属层呈L型，所述L型的边缘金属层环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的四个顶角。
6.根据权利要求1所述的芯片封装测试结构，其特征在于：所述堆叠的金属层材料为铜，所述边缘金属层材料为铜。
7.一种芯片封装测试链结构，其特征在于，所述测试链结构至少包括：至少两个堆叠测试结构，所述每个堆叠测试结构包括：
堆叠的金属层，包括两层金属层，两层金属层间通过通孔电连；
覆盖于所述堆叠的金属层中顶端金属层的焊垫，所述焊垫与所述顶端金属层电连接；
环绕于所述堆叠的金属层中底端金属层的至少两块边缘金属层，所述边缘金属层与所述堆叠的金属层之间以绝缘介质材料填充；所述每个堆叠测试结构中的边缘金属层通过金属线电连。
8.根据权利要求7所述的芯片封装测试链结构，其特征在于：所述各金属层为正方形，且各金属层在垂直方向上图形对准。
9.根据权利要求7或8所述的芯片封装测试链结构，其特征在于：所述边缘金属层呈L型，所述L型的边缘金属层环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的四个顶角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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