[实用新型]一种芯片封装测试结构有效

申请号：	201320456561.3	申请日：	2013-07-29
公开（公告）号：	CN203377200U	公开（公告）日：	2014-01-01
发明（设计）人：	牛刚;于建姝;赵晓东;段晓博;刘竞文	申请（专利权）人：	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66;H01L23/31
代理公司：	上海光华专利事务所 31219	代理人：	李仪萍
地址：	100176 北京市大兴***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	一种芯片封装测试结构
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【说明书】：

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，特别是涉及一种芯片封装测试结构。

背景技术

在半导体制造领域，为了对制造工艺进行监控，保证半导体器件的可靠性，通常的做法是在器件中形成测试结构，用于测试一些关键的参数。芯片在封装时需要将金线（或铜线）压焊至芯片的焊垫上，实现芯片与外部的电连。而压焊所产生的压力作用于芯片，进而会施加在芯片中的绝缘介质层上，由于这些介质层一般是低介电常数的材料，机械性能较差，会使得芯片内的绝缘介质层形成裂缝（Crack），除了压焊所产生的压力外，还有其他一些外界的压力对芯片的绝缘介质层形成影响，介质层中一旦形成裂缝，芯片中的金属层便会沿着裂缝扩散，致使金属层短路或者漏电，因此，在芯片封装前非常有必要对芯片进行绝缘介质层完整性的测试。

现有的芯片封装测试结构如图1所示，所述测试结构包括：堆叠的金属层1A、焊垫2A、边缘金属层3A。所述堆叠的金属层1A包括顶端金属层11A和底端金属层12A，所述焊垫2A覆盖于所述顶端金属层11A上，焊垫2A和顶端金属层11A接触电连，所述顶端金属层11A与底端金属层12A通过通孔5A电连，所述边缘金属层3A环绕于所述底端金属层12A，且边缘金属层3A与底端金属层12A之间为绝缘的介质层4A，所述顶端金属层11A与边缘金属层3A之间的空间也以绝缘材料填充。由于边缘金属层3A是整个环绕于底端金属层12A，因此，外界的压力不能很好的传递给绝缘材料，因此，这种测试结构不能很灵敏的用于测试金属间介质材料的裂缝，并且这种结构也不能用于检测通孔和通孔之间的漏电。

因此，设计一种新的芯片封装测试结构实属必要。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种芯片封装测试结构，用于解决现有技术中测试结构不够灵敏等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种芯片封装测试结构，所述测试结构至少包括：至少一个堆叠测试结构，每个堆叠测试结构包括：

堆叠的金属层，包括至少两层金属层，每层金属层间通过通孔电连接；

覆盖于所述堆叠的金属层中最顶端的金属层的焊垫，所述焊垫与所述最顶端的金属层电连接；

环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的至少两块边缘金属层，所述边缘金属层与所述堆叠的金属层之间以绝缘介质材料填充；各所述边缘金属层彼此间绝缘。

优选地，所述焊垫上设有与外界键合的焊球。

优选地，所述焊垫为铝焊垫。

优选地，所述每一层金属层为正方形，且各金属层在水平面上的投影重合。

优选地，所述边缘金属层呈L型，所述L型的边缘金属层环绕于所述堆叠的金属层中最底端的金属层的四个顶角。

优选地，所述堆叠的金属层材料为铜，所述边缘金属层材料为铜。