[实用新型]金属电极及使用该金属电极封装的半导体激光器有效
申请号: | 201320396682.3 | 申请日: | 2013-07-04 |
公开(公告)号: | CN203415570U | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 李阳;李德龙 | 申请(专利权)人: | 北京瑞通科悦科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01S5/00 |
代理公司: | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人: | 陈曦;贾兴昌 |
地址: | 100094 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种金属电极,并同时公开了使用该金属电极封装的半导体激光器。该金属电极具有长方体形的本体,在本体的一个侧面或者两个侧面上具有向外突出的突出部,突出部具有用于与半导体激光器芯片的正极面或者负极面焊接的焊接面,焊接面垂直于本体的上表面,并且焊接面的顶端与本体的上表面平齐,焊接面的尺寸与半导体激光器芯片的尺寸匹配。该金属电极通过充分增加芯片方向的高度,在不降低芯片间距的情况下,提高了电极的尺寸和热容量,增大了电极的导热截面,降低了芯片附近电极的局部温度,提高了单片芯片的散热功率,适合于高功率半导体激光器芯片的封装和散热。 | ||
搜索关键词: | 金属电极 使用 封装 半导体激光器 | ||
【主权项】:
一种用于半导体激光器的金属电极,具有长方体形的本体,其特征在于: 在所述本体的一个侧面或者两个侧面上具有向外突出的突出部,所述突出部具有用于与所述半导体激光器芯片的正极面或者负极面焊接的焊接面,所述焊接面垂直于所述本体的上表面,所述焊接面的顶端与所述本体的上表面平齐,所述焊接面的尺寸与所述半导体激光器芯片的尺寸匹配。
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