[实用新型]射频芯片系统级封装结构有效
| 申请号： | 201320371941.7 | 申请日： | 2013-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN203339161U | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 金若虚;陆春荣;胡立栋;刘鹏 | 申请（专利权）人： | 力成科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 刘宪池 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种射频芯片系统级封装结构，其特征在于，包括：一基板，具有相对的一顶面和一底面；至少一芯片，配置于所述基板的顶面上；至少一元器件，配置于所述基板的顶面上；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。本实用新型所述射频芯片系统级封装结构可以将射频芯片，电感，电容融合在一个密闭的元器件中，所占空间小，集成度高，电路信号强。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 芯片 系统 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种射频芯片系统级封装结构，其特征在于，包括：一基板，具有相对的一顶面和一底面；至少一芯片，配置于所述基板的顶面上；至少一元器件，配置于所述基板的顶面上；封装结构的封装空间内填充的绝缘树脂。
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