[实用新型]一种LED薄膜芯片的半导体基板有效
| 申请号： | 201320330460.1 | 申请日： | 2013-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN203300704U | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王光绪;刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌黄绿照明有限公司;南昌大学 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/22 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括半导体基板本体，特征是：在半导体基板本体的上表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的上粗糙层，上粗糙层与键合金属进行结合，在半导体基板本体的下表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的下粗糙层，下粗糙层与接触金属进行结合。上粗糙层的厚度≥0.3um，下粗糙层的厚度≥0.3um。这样可以有效提高半导体基板本体与键合金属以及接触金属的结合力，使半导体基板本体与键合金属和接触金属充分结合，牢固不动。本实用新型具有通过表面粗糙化处理形成具有凹凸状的粗糙层、使得半导体基板本体与键合金属以及接触金属都具有良好的结合力、能提高产品的成品率和可靠性的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 薄膜 芯片 半导体 | ||
【主权项】：
一种LED薄膜芯片的半导体基板，包括半导体基板本体，其特征在于：在半导体基板本体的上表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的上粗糙层，上粗糙层与键合金属进行结合，在半导体基板本体的下表面加工有经过表面粗糙化处理形成凹凸状的下粗糙层，下粗糙层与接触金属进行结合。
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