[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320253551.X | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN203277370U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;陈康 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张懿;王忠忠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型的名称为半导体器件。一种半导体器件具有衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。多个引线柱或柱形凸起被形成在所述衬底上。半导体小片被安装到所述引线柱之间的所述衬底上。第一密封剂被沉积在所述半导体小片周围。第一互连结构被形成在所述半导体小片和第一密封剂上。第二密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上。所述第二密封剂能够被形成在所述半导体小片的一部分和所述衬底的侧表面上。所述第二密封剂的一部分被去除以暴露所述衬底和第一互连结构。第二互连结构被形成在所述第二密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。分立半导体器件能够被形成在所述互连结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其包括：衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层；形成在所述衬底上的多个引线柱；安装到所述引线柱之间的所述衬底上的半导体小片；形成在所述半导体小片上的第一互连结构；第一密封剂，所述第一密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上；以及第二互连结构，所述第二互连结构被形成在所述第一密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新科金朋有限公司，未经新科金朋有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201320253551.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
