[实用新型]半导体器件

说明书

国内优先权的声明

本申请要求2012年9月14日提交的、申请号为61/701,366的美国临时申请的权益，该申请通过引用并入本文。

相关申请的交叉引用

本申请与序号13/832,118、代理人案号2515.0424、题为“Semiconductor Device and Method of Forming Build-up Interconnect Structure over Carrier for Testing at Interim stages (半导体器件以及在载体上形成积层互连结构用于在中间阶段进行测试的方法)”的美国专利申请相关。本申请还与序号13/832,205、代理人案号2515.0408、题为“Semiconductor Device and Method of Forming Dual-Sided Interconnect Structures in Fo-WLCSP (半导体器件以及在Fo-WLCSP中形成双侧互连结构的方法)”的美国专利申请相关。

技术领域

本申请一般地涉及半导体器件，并且更具体地，涉及一种半导体器件以及在Fo-WLCSP中形成双侧互连结构的方法。

背景技术

半导体器件通常在现代电子产品中被发现。半导体器件在电部件的数量和密度方面各不相同。分立半导体器件通常包含一种类型的电部件，例如发光二极管(LED)、小信号晶体管、电阻器、电容器、电感器以及功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。集成半导体器件典型地包含数百到数百万个电部件。集成半导体器件的示例包括微控制器、微处理器、电荷耦合器件(CCD)、太阳能电池以及数字微镜器件(DMD)。

半导体器件执行范围广泛的功能，诸如信号处理、高速计算、发射及接收电磁信号、控制电子器件、将日光转换为电力以及创建用于电视显示的视觉投影。半导体器件在娱乐、通信、功率变换、网络、计算机以及消费品领域中被发现。半导体器件还在军事应用、航空、汽车、工业控制器以及办公设备中被发现。

半导体器件利用了半导体材料的电特性。半导体材料的结构允许它的电导率通过电场或基电流的施加或经由掺杂工艺来操纵。掺杂将杂质引入半导体材料中以操纵并且控制半导体器件的电导率。

半导体器件包含有源和无源的电结构。包括双极型和场效应晶体管的有源结构控制电流的流动。通过改变掺杂的程度和电场或基电流的施加，晶体管或者促进或者限制电流的流动。包括电阻器、电容器和电感器的无源结构在电压与电流之间建立对于执行各种电功能所必需的关系。无源和有源结构被电连接以形成电路，这使半导体器件能够执行高速操作及其他有用的功能。

半导体器件通常使用两种复杂的制造工艺，即前端制造和后端制造来制造，所述每种工艺都潜在地涉及数百个步骤。前端制造涉及多个小片在半导体晶片的表面上的形成。每个半导体小片通常是一致的并且包含通过电连接有源和无源部件所形成的电路。后端制造涉及从完成的晶片分割(singulate)出单独的半导体小片并且对所述小片进行封装以提供结构支撑和环境隔离。在本文中所使用的术语“半导体小片”指词的单数形式和复数形式两者，并且相应地，能够指单个半导体器件和多个半导体器件两者。

半导体制造的一个目标是产生更小的半导体器件。更小的器件典型地消耗更少的功率、具有更高的性能并且能够被更高效地生产。此外，更小的半导体器件具有更小的占用面积，这对于更小的终端产品来说是所期望的。更小的半导体小片尺寸能够由前端工艺方面的改进来达到，从而产生具有更小的、更高密度的有源和无源部件的半导体小片。后端工艺可以通过电互连和封装材料方面的改进来产生具有更小占用面积的半导体器件封装。

半导体小片常常为与外部器件的电连接而在扇出型晶片级芯片规模封装(Fo-WLCSP)中需要顶部和底部积层互连结构。积层互连结构典型地逐层形成在Fo-WLCSP的两侧。由于工业标准的临时接合工艺，积层互连结构的逐层形成需要长循环时间和高制造成本。临时接合可能降低制造良率并且增加缺陷。

实用新型内容

存在对Fo-WLCSP中的简单并且有成本效益的双侧互连结构的需要。因此，在一个实施例中，本实用新型是一种半导体器件，其包括衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。多个引线柱(wire stud)被形成在所述衬底上。半导体小片被安装到所述引线柱之间的所述衬底上。第一互连结构被形成在所述半导体小片上。第一密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上。第二互连结构被形成在所述第一密封剂和第一互连结构上，并且与所述引线柱电耦合。