[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201320253551.X | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN203277370U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 林耀剑;陈康 | 申请（专利权）人： | 新科金朋有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张懿;王忠忠 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，其包括：
衬底，所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层；
形成在所述衬底上的多个引线柱；
安装到所述引线柱之间的所述衬底上的半导体小片；
形成在所述半导体小片上的第一互连结构；
第一密封剂，所述第一密封剂被沉积在所述衬底、半导体小片和第一互连结构上；以及
第二互连结构，所述第二互连结构被形成在所述第一密封剂和第一互连结构上并且与所述引线柱电耦合。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其还包括沉积在所述半导体小片上的第二密封剂，其中所述第一互连结构被形成在所述半导体小片和第二密封剂上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一密封剂被形成在所述半导体小片的一部分上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一密封剂被形成在所述衬底的侧表面上。
5.一种半导体器件，其包括：
衬底；
形成在所述衬底上的垂直互连结构；
安装到所述衬底上的半导体小片；
形成在所述半导体小片上的第一互连结构；
沉积在所述衬底和半导体小片上的第一密封剂；以及
形成在所述第一密封剂和第一互连结构上的第二互连结构。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其还包括沉积在所述半导体小片上的第二密封剂，其中所述第一互连结构被形成在所述半导体小片和第二密封剂上。
8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一密封剂被沉积在所述半导体小片的一部分上。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述垂直互连结构包括多个引线柱或柱形凸起。
10.一种半导体器件，其包括：
衬底；
形成在所述衬底上的垂直互连结构；
安装到所述衬底上的半导体小片；
形成在所述半导体小片上的第一互连结构；
沉积在所述衬底和半导体小片上的第一密封剂；以及
形成在所述第一密封剂和第一互连结构上的第二互连结构。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述衬底包括形成在所述衬底的第一和第二相反表面上的第一和第二导电层。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其还包括沉积在所述半导体小片上的第二密封剂，其中所述第一互连结构被形成在所述半导体小片和第二密封剂上。
13.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一密封剂被形成在所述半导体小片的一部分上。
14.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述第一密封剂被形成在所述衬底的侧表面上。
15.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述垂直互连结构包括多个引线柱或柱形凸起。
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