[实用新型]半导体发光元件

摘要

本实用新型公开一种半导体发光元件，其是通过将半导体磊晶复合层设置于一透明基材的凹槽中，且正、负电极各自设置于该透明基材的该凹槽的周缘上，再以两金属连接层分别连接正、负电极与其相应的半导体层，此种改良的电极结构可以减少金属电极的遮蔽及增加PN接面的面积，进而解决因金属电极遮蔽及不良设置所造成光取出效率受限的问题，从而相对增加发光效率。

主权项

一种半导体发光元件，其特征在于，其包括： 一透明基材，该透明基材具有一凹槽； 一第一半导体层，设置于该凹槽底部，该第一半导体层包含一第一区域及一第二区域； 一第二半导体层，设置于该第一区域上； 一第一主电极层及一第二主电极层，各自设置于该透明基材的该凹槽的周缘上，且该第一主电极层及该第二主电极层不相接触； 一第一次电极层，设置于该凹槽的内侧壁上，且电性连接该第一主电极层及该第一半导体层的该第二区域；以及 一第二次电极层，设置于该凹槽的内侧壁上，且电性连接该第二主电极层及该第二半导体层。