[实用新型]半导体发光元件有效
申请号: | 201320193526.7 | 申请日: | 2013-04-17 |
公开(公告)号: | CN203232903U | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 丁初稷;林子斌;白德义 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人: | 金利琴 |
地址: | 215217 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件,其特征在于,其包括:
一透明基材,该透明基材具有一凹槽;
一第一半导体层,设置于该凹槽底部,该第一半导体层包含一第一区域及一第二区域;
一第二半导体层,设置于该第一区域上;
一第一主电极层及一第二主电极层,各自设置于该透明基材的该凹槽的周缘上,且该第一主电极层及该第二主电极层不相接触;
一第一次电极层,设置于该凹槽的内侧壁上,且电性连接该第一主电极层及该第一半导体层的该第二区域;以及
一第二次电极层,设置于该凹槽的内侧壁上,且电性连接该第二主电极层及该第二半导体层。
2.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该凹槽底部与该第一半导体层之间更包含一透明磊晶基底层。
3.根据权利要求2所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该透明磊晶基底层由蓝宝石、碳化硅、砷化镓、砷化铝镓、磷化镓或硫化镓制成。
4.根据权利要求3所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该透明基材由玻璃、石英或透明塑胶制成。
5.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该透明基材由蓝宝石、碳化硅、砷化镓、砷化铝镓、磷化镓或硫化镓制成。
6.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该第一半导体层为N型半导体,该第二半导体层为P型半导体。
7.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该第一半导体层为P型半导体,该第二半导体层为N型半导体。
8.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该第一主电极层与该第二主电极层的直径或长宽大于或等于100微米。
9.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该第一次电极层与该第二次电极层的厚度范围介于1微米至99微米之间。
10.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该第一半导体层于该第一区域的厚度是大于该第一半导体层于该第二区域的厚度。
11.根据权利要求1所述的半导体发光元件,其特征在于:其中该第二区域的宽度小于或等于100微米。
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