[实用新型]半导体发光元件

说明书

技术领域

本实用新型系关于一种半导体元件，特别是有关于一种半导体发光元件。

背景技术

由于具有寿命长、轻巧、低耗电量以及不含水银等有害物质等优点，半导体发光元件，如发光二极体（Light Emitting Diode,LED），已成为一种非常理想的新式照明光源，并且正蓬勃发展。发光二极体的应用领域已甚为广泛，例如，资讯、通讯、消费性电子、汽车市场、号志、看板以及照明市场。目前较热门的应用市场主要是通讯产业的手机背光源及按键光源、汽车产业的各种灯饰以及仪表板、以及号志、广告看板以及照明等。

请参阅图1，其所示为常见半导体发光元件1的侧视图。该已知半导体发光元件1包括：一透明基材11、一第一半导体层12、一第二半导体层13、一第一电极层14a及一第二电极层14b。该第一半导体层12是设置于该透明基材11上，且该第一半导体层12包含一第一区域12a以及厚度薄于该第一区域12a的一第二区域12b。该第二半导体层13是设置于该第一半导体层12的该第一区域12a上。该第一电极层14a是设置于该第一半导体层12的该第二区域12b上，而该第二电极层14b是设置于该第二半导体层13上。然而，由于该第一电极层14a及该第二电极层14b需分别与该第一半导体层12及该第二半导体层13形成欧姆接触，因此该第一电极层14a及该第二电极层14b通常是由功函数较高的金属所制成。另外，该第一电极层14a及该第二电极层14b受限于封装过程中打线的金属线的直径（约为100微米）限制，故无法随意地缩小其面积。

已知对于该第一电极层14a的设置，由于该第一电极层14a占已知半导体发光元件1的固定区域，使得该第一半导体层12与该第二半导体层13之间的PN接面（junction）面积受限于该第一电极层14a所占的面积。再者，该第二电极层14b设置于该第二半导体层13上时，会使得该第二电极层14b正下方的发光层（即该PN接面）所发射出的光受到该第二电极层14b的遮蔽，以致已知半导体发光元件1的光取出效率受限于该第二电极层14b的遮蔽而无法有效地提升。

虽然到目前为止已经有许多种不同结构的半导体发光元件被提出，但是如何充份提高半导体发光元件的光取出效率及使得发光二极体具有宽广的出光面一直是不断被研究的议题。因此，本实用新型的主要范畴在于提供一种电极结构有所改良的半导体发光元件，以解决上述的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型目的在于提供一种半导体发光元件，其具有改良的电极层的结构，从而增加半导体发光元件的出光面积。

为达成上述目的，本实用新型提供一种半导体发光元件，其包括：一透明基材、一第一半导体层、一第二半导体层、一第一主电极层、一第二主电极层、一第一次电极层及一第二次电极层。该透明基材具有一凹槽，而该第一半导体层是设置于该凹槽底部，该第一半导体层包含一第一区域及一第二区域。该第二半导体层是设置于该第一区域上。该第一主电极层及一第二主电极层是各自设置于该透明基材的该凹槽的周缘上，且该第一主电极层及该第二主电极层不相接触。该第一次电极层是设置于该凹槽的内侧壁上，且电性连接该第一主电极层及该第一半导体层的该第二区域。该第二次电极层是设置于该凹槽的内侧壁上，且电性连接该第二主电极层及该第二半导体层。

在本实用新型的一实施例中，该凹槽底部与该第一半导体层之间更包含一透明磊晶基底层。

在本实用新型的一实施例中，该透明磊晶基底层是由蓝宝石、碳化硅、砷化镓、砷化铝镓、磷化镓或硫化镓制成。

在本实用新型的一实施例中，该透明基材是由玻璃、石英或透明塑胶制成。

在本实用新型的一实施例中，该透明基材是由蓝宝石、碳化硅、砷化镓、砷化铝镓、磷化镓或硫化镓制成。

在本实用新型的一实施例中，该第一半导体层为N型半导体，该第二半导体层为P型半导体。

在本实用新型的一实施例中，该第一半导体层为P型半导体，该第二半导体层为N型半导体。

在本实用新型的一实施例中，该第一半导体层与该第二半导体层的材质分别是包含氮化镓、氮化铝镓、氮化铟镓、氮化铟、氮化镓铟鉮、氮化镓铟磷、磷化铝镓铟、磷化镓或砷化镓。

在本实用新型的一实施例中，该第一主电极层与该第二主电极层的直径或长宽是大于或等于100微米（μm）。

在本实用新型的一实施例中，该第一主电极层与该第二主电极层的材质分别是包含铜、银、金、铝、钛、镍、锗、铂、钴、钯、锡、铑或其组合。

在本实用新型的一实施例中，该第一次电极层与该第二次电极层的厚度范围是介于1μm至99μm之间。