[实用新型]高导热型功率整流半导体器件有效
| 申请号： | 201320135644.2 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN203277352U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种高导热型功率整流半导体器件，包括整流芯片、包覆于整流芯片四周的环氧树脂层、导电基盘和导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，此负极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于整流芯片正下方且与整流芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述导电焊盘位于整流芯片另一侧，导电焊盘包括焊接区和至少两个引脚；一铝导体带跨接于所述整流芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间。本实用新型有利于进一步缩小器件的体积，同时减少封装体中部件的数目；且充分考虑到整流芯片正极和负极电流大的特定，从而有利于减少热量的产生，并进一步提高了电性能指标。 | ||
| 搜索关键词： | 导热 功率 整流 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种高导热型功率整流半导体器件，包括整流芯片（1）、包覆于整流芯片（1）四周的环氧树脂层（2），其特征在于：还包括导电基盘（3）、导电焊盘（4），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的负极引脚（321）组成，此负极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于整流芯片（1）正下方且与整流芯片（1）下表面之间通过软焊料层（6）电连接；所述导电焊盘（4）位于整流芯片（1）另一侧，导电焊盘（4）包括焊接区（7）和至少两个引脚（8）；一铝导体带（5）跨接于所述整流芯片（1）的正极与导电焊盘（4）的焊接区（7）之间。
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