[实用新型]高导热型功率整流半导体器件有效
| 申请号： | 201320135644.2 | 申请日： | 2013-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN203277352U | 公开（公告）日： | 2013-11-06 |
| 发明（设计）人： | 胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导热 功率 整流 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1. 一种高导热型功率整流半导体器件，包括整流芯片（1）、包覆于整流芯片（1）四周的环氧树脂层（2），其特征在于：还包括导电基盘（3）、导电焊盘（4），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的负极引脚（321）组成，此负极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于整流芯片（1）正下方且与整流芯片（1）下表面之间通过软焊料层（6）电连接；所述导电焊盘（4）位于整流芯片（1）另一侧，导电焊盘（4）包括焊接区（7）和至少两个引脚（8）；一铝导体带（5）跨接于所述整流芯片（1）的正极与导电焊盘（4）的焊接区（7）之间。
2. 根据权利要求1所述的功率整流半导体器件，其特征在于：所述导电焊盘（4）各自的焊接区（7）与整流芯片（1）位于同一水平面。
3. 根据权利要求1所述的功率整流半导体器件，其特征在于：所述负极引脚（321）的数目为四根。
4. 根据权利要求1所述的功率整流半导体器件，其特征在于：所述铝导体带（5）宽厚比为1：9~14。
5. 根据权利要求1所述的功率整流半导体器件，其特征在于：所述导电焊盘（4）的引脚（8）至少为两个。
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