[实用新型]高导热型功率整流半导体器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种高导热型功率整流半导体器件。 

背景技术

笔记本电脑、手机、迷你CD、掌上电脑、CPU、数码照相机等消费类电子产品越来越向小型化方向发展。随着产品的做小做薄，工IC中的数百万个晶体管所产生的热量如何散发出去就变为一个不得不考虑的问题。现有技术中，虽然可以通过提升工IC制程能力来降低电压等方式来减小发热量，但是仍然不能避免发热密度增加的趋势。散热问题不解决，会使得工器件因过热而影响到产品的可靠性，严重地会缩短产品寿命甚至造成产品损毁。 

如附图1所示是一种现有技术的功率整流封装体的剖面示意图，包括芯片900，散热片920、引线框架930、多个导线940，以及包裹上述结构的绝缘胶950。芯片900粘附在散热片920上，引线框架930具有多个相互绝缘的管脚，芯片900表面的焊盘通过导线940连接在引线框架93。相应的管脚上。绝缘胶950将上述结构全部包裹起来，以将其同外界隔离，仅将引线框架930的各个管脚和散热片920与芯片900相对的表面暴露在空气中。引线框架930暴露出来的管脚用于实现被封装的芯片900同外界的电学连接，而散热片920暴露出来的作用在于将芯片900工作时产生的热量通过暴露的表面散发到环境中去。 

发明内容

本实用新型目的是提供一种高导热型功率整流半导体器件，此功率整流半导体器件有利于进一步缩小器件的体积，同时减少封装体中部件的数目；且充分考虑到整流芯片正极和负极电流大的特定，从而有利于减少热量的产生，并进一步提高了电性能指标。 

为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：一种高导热型功率整流半导体器件，包括整流芯片、包覆于整流芯片四周的环氧树脂层、导电基盘和导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此基盘引脚区由若干个相间排列的负极引脚组成，此负极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于整流芯片正下方且与整流芯片下表面之间通过软焊料层电连接；所述导电焊盘位于整流芯片另一侧，导电焊盘包括焊接区和至少两个引脚；一铝导体带跨接于所述整流芯片的正极与导电焊盘的焊接区之间。 

上述技术方案中进一步改进的方案如下： 

1、上述方案中，所述导电焊盘各自的焊接区与整流芯片位于同一水平面。

2、上述方案中，所述负极引脚的数目为四根。 

3、上述方案中，所述铝导体带宽厚比为1：9~14。 

4、上述方案中，所述导电焊盘的引脚至少为两个。 

由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果： 

1、本实用新型高导热型功率整流半导体器件中焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚区，并保证了第一、第二导电焊盘的焊接区与整流芯片的正极在同一水平面，从而有效避免了由于连接栅极的第二金属线较细在使用中容易断的技术缺陷，从而延长了产品的使用寿命并提高了可靠性。

2、本实用新型高导热型功率整流半导体器件中基盘引脚区由若干个相间排列的漏极引脚组成，导电焊盘的引脚区由至少三根正极引脚组成，充分考虑到整流芯片正极和负极电流大的特定，从而有利于减少热量的产生，并进一步提高了电性能指标。 

附图说明

图1为现有技术结构示意图； 

图2为本实用新型高导热型功率整流半导体器件结构示意图；

图3为附图2中沿A-A线的剖视图。   

以上附图中： 1、整流芯片；2、环氧树脂层；3、导电基盘；31、散热区；32、基盘引脚区；321、负极引脚；4、导电焊盘；5、铝导体带；6、软焊料层；7、焊接区；8、引脚。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步描述： 

实施例1：一种高导热型功率整流半导体器件，包括整流芯片1、包覆于整流芯片1四周的环氧树脂层2、导电基盘3和导电焊盘4，所述导电基盘3由散热区31和基盘引脚区32组成，此基盘引脚区32由若干个相间排列的负极引脚321组成，此负极引脚321一端与散热区31端面电连接，所述散热区31位于整流芯片1正下方且与整流芯片1下表面之间通过软焊料层6电连接；所述导电焊盘4位于整流芯片1另一侧，导电焊盘4包括焊接区7和至少两个引脚8；一铝导体带5跨接于所述整流芯片1的正极与导电焊盘4的焊接区7之间。

上述导电焊盘4各自的焊接区7与整流芯片1位于同一水平面；上述铝导体带5宽厚比为1：9。