[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320098117.9 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN203085555U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 小川嘉寿子 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 田勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体装置，该半导体装置包括：具有第1导电型的第1半导体区域；具有与第1导电型相反的第2导电型的第2半导体区域；形成于第2半导体区域上的具有第2导电型的，该第2导电型的不纯物浓度比第2半导体区域高的，并且不纯物浓度的最大值大于等于5×1014cm-3、且小于等于5×1015cm-3的第3半导体区域。通过本实用新型，可以充分满足低导通电压和高耐压的权衡比。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于,所述半导体装置具有：具有第1导电型的第1半导体区域（11）；具有导电型与所述第1半导体区域（11）上具有的第1导电型相反的第2导电型的第2半导体区域（13）；形成于所述第2半导体区域（13）上的具有所述第2导电型的第3半导体区域（14）；形成于所述第3半导体区域（14）上的具有所述第1导电型的第4半导体区域（16）；形成于所述第4半导体区域（16）上的具有所述第2导电型的第5半导体区域（17）；在所述第4半导体区域（16）上通过绝缘膜（18）形成的控制电极（19）；与所述第1半导体区域（11）电连接的第1电极（20）；以及与所述第4半导体区域（16）以及所述第5半导体区域（17）电连接的第2电极（21）；其中，所述第3半导体区域（14）的所述第2导电型的不纯物浓度比所述第2半导体区域（13）高，所述第3半导体区域（14）的不纯物浓度的最大值大于等于5×1014cm‑3、且小于等于5×1015cm‑3。
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