[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201320098117.9 | 申请日： | 2013-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN203085555U | 公开（公告）日： | 2013-07-24 |
| 发明（设计）人： | 小川嘉寿子 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 田勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于,所述半导体装置具有：
具有第1导电型的第1半导体区域（11）；
具有导电型与所述第1半导体区域（11）上具有的第1导电型相反的第2导电型的第2半导体区域（13）；
形成于所述第2半导体区域（13）上的具有所述第2导电型的第3半导体区域（14）；
形成于所述第3半导体区域（14）上的具有所述第1导电型的第4半导体区域（16）；
形成于所述第4半导体区域（16）上的具有所述第2导电型的第5半导体区域（17）；
在所述第4半导体区域（16）上通过绝缘膜（18）形成的控制电极（19）；
与所述第1半导体区域（11）电连接的第1电极（20）；以及
与所述第4半导体区域（16）以及所述第5半导体区域（17）电连接的第2电极（21）；
其中，所述第3半导体区域（14）的所述第2导电型的不纯物浓度比所述第2半导体区域（13）高，所述第3半导体区域（14）的不纯物浓度的最大值大于等于5×1014cm-3、且小于等于5×1015cm-3。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第3半导体区域（14）的所述第2导电型的不纯物浓度与所述第2半导体区域（13）的所述第2导电型的不纯物浓度相比高出5至50倍。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述第3半导体区域（14）与所述第4半导体区域（16）相接，
在向所述第1电极（20）和所述第2电极（21）施加规定电压时，耗尽层扩散至比所述第3半导体区域（14）的下表面还要靠下的下侧。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第3半导体区域（14）的厚度为大于等于1μm、且小于等于3μm。
5.根据权利要求1至4的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，具有从所述第5半导体区域（17）的上表面到达所述第3半导体区域（14）的沟槽，
在所述沟槽内，通过所述绝缘膜（18）具有所述控制电极（19）。
6.根据权利要求1至4的任意一项所述的半导体装置，其特征在于，具有从所述第5半导体区域（17）的上表面贯通所述第4半导体区域（16）以及所述第3半导体区域（14）到达所述第2半导体区域（13）的沟槽，
在所述沟槽内，通过所述绝缘膜（18）具有所述控制电极（19）。
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