[发明专利]芯片模块、绝缘材料和制造芯片模块的方法有效
| 申请号： | 201310757262.8 | 申请日： | 2013-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN103855109B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | J·赫格劳尔;R·奥特伦巴;K·席斯;X·施勒格尔;J·施雷德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/367;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘金凤;徐红燕 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及芯片模块、绝缘材料和制造芯片模块的方法。一种芯片模块包括载体、布置在载体上或嵌入载体内的半导体芯片和至少部分地覆盖载体的面的绝缘层。绝缘层的介电常数εr和导热系数λ满足条件λ·εr＜4.0W·m‑1·K‑1。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 模块 绝缘材料 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片模块，包括：半导体芯片；载体，其中半导体芯片被布置在载体上或被嵌入到载体内；以及至少部分地覆盖载体的面的绝缘层，其中绝缘层的介电常数εr和导热系数λ满足条件λ·εr<1.0W·m‑1·K‑1。
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