[发明专利]一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法有效
| 申请号： | 201310753532.8 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103779292A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王浩敏;王玲;张燕;谢晓明;刘建影 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;C01B31/04;C09K5/14 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法，包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上制备水平石墨烯；将所述衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述衬底进行等离子体预处理；保持通入还原气体并通入生长气体，于所述水平石墨烯表面生长竖直石墨烯；停止通入生长气体，并使所述反应腔降温，再将所述水平石墨烯和竖直石墨烯转移到待散热的芯片表面。本发明利用水平石墨烯将器件工作产生的热点热量扩散至器件表面，然后利用竖直石墨烯较大的比表面积，将高功率芯片水平方向的热量通过大的比表面积扩散至周围环境中，从而加快了散热效率。本发明工艺简单，易于操作，对于制备环境要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 石墨 芯片 散热 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于石墨烯的芯片散热材料的制备方法，其特征在于，所述芯片散热材料的制备方法至少包括以下步骤：1）提供一衬底，采用液相剥离法在所述衬底上制备水平石墨烯；2）将所述衬底置于反应腔中，对所述反应腔进行抽真空后通入还原气体并升温至预设温度，然后对所述衬底进行等离子体预处理；3）保持通入还原气体并通入生长气体，采用等离子体增强的化学气相沉积于所述水平石墨烯表面生长竖直石墨烯；4）停止通入生长气体，并使所述反应腔降温，再将所述水平石墨烯和竖直石墨烯转移到待散热的芯片表面。
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