[发明专利]具有复合金属栅极结构的横向功率器件在审
| 申请号： | 201310749058.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103762228A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 魏星;徐大伟;狄增峰;方子韦 | 申请（专利权）人： | 上海新傲科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 孙佳胤;翟羽 |
| 地址： | 201821 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有复合金属栅极结构的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅极、位于所述栅极两侧的源电极和漏电极以及位于所述栅极和所述栅介质层之间的栅金属层；所述栅金属层包括位于所述源电极一侧的第一栅金属以及位于所述漏电极一侧的第二栅金属，所述第一栅金属的功函数大于所述第二栅金属的功函数。本发明的优点在于利用不同金属功函数的差异性，形成复合金属栅极结构，以提高器件的跨导值和驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 复合 金属 栅极 结构 横向 功率 器件 | ||
【主权项】：
一种具有复合金属栅极结构的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅极和位于所述栅极两侧的源电极和漏电极，其特征在于，包括位于所述栅极和所述栅介质层之间的栅金属层；所述栅金属层包括位于所述源电极一侧的第一栅金属以及位于所述漏电极一侧的第二栅金属，所述第一栅金属的的功函数大于所述第二栅金属的功函数。
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