[发明专利]具有复合金属栅极结构的横向功率器件

权利要求书

1.一种具有复合金属栅极结构的横向功率器件，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底表面的栅介质层、位于所述栅介质层表面的栅极和位于所述栅极两侧的源电极和漏电极，其特征在于，包括位于所述栅极和所述栅介质层之间的栅金属层；

所述栅金属层包括位于所述源电极一侧的第一栅金属以及位于所述漏电极一侧的第二栅金属，所述第一栅金属的的功函数大于所述第二栅金属的功函数。

2.根据权利要求1所述的具有复合金属栅极结构的横向功率器件，其特征在于，所述半导体衬底表面包括位于所述源电极相对应位置的源极、位于所述漏电极相对应位置的漏极、位于所述栅极之下的阱区、位于所述阱区和所述漏极之间的漂移区和体接触区，所述体接触区位于所述源极旁，与所述阱区相接触，所述源极、所述漏极和所述漂移区均具有第一导电类型，所述阱区和所述体接触区具有第二导电类型。

3.根据权利要求2所述的具有复合金属栅极结构的横向功率器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

4.根据权利要求2所述的具有复合金属栅极结构的横向功率器件，其特征在于，所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

5.根据权利要求1所述的具有复合金属栅极结构的横向功率器件，其特征在于，所述半导体衬底包括支撑衬底、有源层和位于所述支撑衬底和有源层之间的绝缘埋层。

6.根据权利要求1所述的具有复合金属栅极结构的横向功率器件，其特征在于，所述第一栅金属和所述第二栅金属相接触。

7.根据权利要求1所述的具有复合金属栅极结构的横向功率器件，其特征在于，还包括位于所述栅介质层表面靠近漏电极一侧的场氧化层和位于所述场氧化层表面的金属场板，所述金属场板靠近源电极的一端与所述栅极相接触。