[发明专利]TFT基板及其制作方法、显示面板有效
申请号: | 201310722567.5 | 申请日: | 2013-12-24 |
公开(公告)号: | CN103943630B | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
发明(设计)人: | 彭涛 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 361100 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明所提供了一种TFT基板,包括基板,依次层叠于基板一侧表面上的缓冲层、有源层和栅极绝缘层,缓冲层背离基板一侧的表面具有一开口,有源层填充该开口,且有源层背离基板一侧的表面与栅极绝缘层表面直接接触。本发明所提供的TFT基板的缓冲层具有开口,有源层的一部分或全部嵌入该开口内,从而有源层边缘的阶梯较低和平缓,进而栅极绝缘层在有源层主体区域和边缘的厚度较均匀,从而有效的减轻了由栅极绝缘层厚度不均引起的驼峰效应,提高了器件的开启速度,使器件的可靠性提高;且由于本发明中TFT有源层边缘的阶梯较低和平缓,栅极绝缘膜层的覆盖性较好,因此极好地改善了有源层边缘“底切”引起的栅源短路问题,提高了器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | tft 及其 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种TFT基板,包括:基板,依次层叠于所述基板一侧的表面上的缓冲层、有源层和栅极绝缘层,其特征在于,所述缓冲层背离所述基板一侧的表面内具有一开口,所述有源层填充所述开口,构成有源层内嵌于缓冲层表面内的结构,且所述有源层背离所述基板一侧的表面与所述栅极绝缘层表面直接接触;所述缓冲层包括位于所述基板上的第一缓冲层和位于所述第一缓冲层上的第二缓冲层,所述第二缓冲层包围所述有源层的侧壁。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的