[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201310722059.7 | 申请日： | 2013-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104299985A | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 小仓常雄;中村和敏 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;胡建新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：第一导电型的第一半导体区域，设在第一电极的一部分之上，与第一电极欧姆接触；第一导电型的第二半导体区域，设在第一电极的上述一部分以外的部分上，与第一半导体区域及第一电极接触，其杂质浓度比第一半导体区域的杂质浓度低；第二导电型的第一半导体层，设在第一半导体区域上以及第二半导体区域上；第二导电型的第二半导体层，设在第一半导体层上；第一导电型的第三半导体区域，设在第二半导体层上；第二导电型的第四半导体区域，设在第三半导体区域的一部分之上；第二电极，经由绝缘膜与第二半导体层、第三半导体区域以及第四半导体区域相接；以及第三电极，设在第三半导体区域之上以及第四半导体区域之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第一电极；第二电极；第一导电型的第一半导体区域，设在上述第一电极的一部分与上述第二电极之间，与上述第一电极欧姆接触；第一导电型的第二半导体区域，设在上述第一电极的上述一部分以外的部分与上述第二电极之间，与上述第一半导体区域及上述第一电极接触，其杂质浓度比上述第一半导体区域的杂质浓度低；第二导电型的第一半导体层，设在上述第一半导体区域及上述第二半导体区域、与上述第二电极之间；第二导电型的第二半导体层，设在上述第一半导体层与上述第二电极之间；第一导电型的第三半导体区域，设在上述第二半导体层与上述第二电极之间；第二导电型的第四半导体区域，设在上述第三半导体区域的一部分与上述第二电极之间，与上述第二电极相接；以及第三电极，经由绝缘膜与上述第二半导体层、上述第三半导体区域以及上述第四半导体区域相接；从上述第一电极朝向上述第二电极的方向上的上述第一半导体层的杂质浓度曲线的峰值位于，上述第一半导体区域及上述第二半导体区域、与上述第二半导体层之间。
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