[发明专利]纳米尺寸图形化衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201310705579.7 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104733569A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 刘海鹰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;G03F7/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纳米尺寸图形化衬底的制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶，作为第一光刻胶层；在第一光刻胶层上生长硬掩膜；在硬掩膜上涂覆一层光刻胶，作为第二光刻胶层；利用纳米压印技术，将第二光刻胶层图形化；刻蚀硬掩膜，将硬掩膜图形化；刻蚀第一光刻胶层，将第一光刻胶层图形化；进行蓝宝石衬底的刻蚀，将蓝宝石衬底图形化。其有效降低了底部残留胶对蓝宝石衬底形貌的影响；且在进行蓝宝石衬底的刻蚀中，掩膜为金属/介质+光刻胶的双层复合结构，可获得较高尺寸的衬底图形；同时，相对于纯金属的掩膜，金属/介质+光刻胶的双层复合结构具有相对较低的选择比，可形成三角锥形的蓝宝石衬底图形。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 尺寸 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米尺寸图形化衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶，作为第一光刻胶层；在所述第一光刻胶层上制备一层介质层或金属层，作为硬掩膜；在所述硬掩膜上涂覆一层光刻胶，作为第二光刻胶层；采用纳米压印技术，在所述第二光刻胶层上压印出图形，将所述第二光刻胶层图形化；以图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜，将所述硬掩膜图形化；以图形化的第二光刻胶层和图形化的硬掩膜作为第一复合掩膜，刻蚀所述第一光刻胶层，将所述第一光刻胶层图形化；以图形化的硬掩膜和图形化的第一光刻胶层作为第二复合掩膜，进行所述蓝宝石衬底的刻蚀，将所述蓝宝石衬底图形化。
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