[发明专利]纳米尺寸图形化衬底的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体工艺领域，特别是涉及一种纳米尺寸图形化衬底的制备方法。

背景技术

蓝宝石是目前广泛用作Ⅲ-Ⅴ族LED器件GaN外延材料的衬底，但是由于GaN与蓝宝石的晶格失配及膨胀系数的差别，使得在蓝宝石衬底上生长的GaN薄膜位错密度较大，影响了LED器件的发光效率和寿命。PSS（Patterned Sapphire Substrates）即图形化衬底技术，是目前普遍采用的一种提高GaN基LED器件出光效率的方法，该方法可以有效减少GaN外延材料的位错密度，从而减小了有源区的非辐射复合，减小了反向漏电流，提高了LED的寿命。有源区发出的光，经由GaN和蓝宝石衬底界面多次散射，改变了全反射光的出射角，增加了倒装LED的光从蓝宝石衬底出射的几率，从而提高了光的提取效率。综合这两方面的原因，使PSS上生长的LED的出射光亮度比传统的LED提高了63%，同时反向漏电流减小，LED的寿命也得到了延长。

随着PSS技术的逐步发展，PSS越来越趋向于采用更小的尺寸，现在已达到了纳米尺寸图形化衬底，即NPSS。

NPSS的制备，大都采用纳米压印技术制备光刻胶图形，图1为其基本的流程图，100′为蓝宝石衬底，200′为光刻胶，500′为纳米压印版。纳米压印技术具有工艺简单、成本低等优点，但如图1所示，采用纳米压印技术，蓝宝石衬底表面不可避免的存在光刻胶残留的现象，导致在后续的刻蚀过程中需要将残留的光刻胶刻蚀后，再进行蓝宝石的刻蚀，不利于后续衬底的形貌控制。且通常的纳米压印的光刻胶较薄，不利于形成较高尺寸的衬底图形。

现有技术中，对于NPSS的制备，还存在以下方法：在蓝宝石衬底上生长一层高度约为8微米的GaN薄膜；在此GaN薄膜表面涂覆光刻胶（采用常规的负胶或反转胶）；利用光刻机和掩膜版，对光刻胶进行曝光，曝光的地方保留；对已曝光的光刻胶进行显影，在光刻胶上形成图形；利用电子束蒸发设备在光刻胶表面蒸镀至少一层ITO（Indium Tin Oxide氧化铟锡）透明导电薄膜；在ITO透明导电薄膜表面蒸镀一层Ni或Cr等金属材料；采用剥离工艺，将光刻胶及蒸镀在光刻胶表面的ITO透明导电膜和Ni或Cr金属材料层剥离，保留GaN层上的ITO透明导电膜和Ni或Cr等金属材料层作为刻蚀用硬掩膜；采用刻蚀工艺，将ITO透明导电膜和Ni或Cr等金属材料层的硬掩膜图形传递到GaN层中，作为蓝宝石衬底的掩膜。该工艺中硬掩膜对蓝宝石的选择比太高，无法形成三角锥形的图形化衬底。

发明内容

基于上述问题，本发明提出了一种纳米尺寸图形化衬底的制备方法，可以获得较高尺寸的衬底图形，减少了底部残留胶对衬底形貌的影响，同时解决了由于掩膜的选择比过高而造成的无法形成三角锥形的衬底图形的问题。

为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种纳米尺寸图形化衬底的制备方法，包括以下步骤：

在蓝宝石衬底上涂覆一层光刻胶，作为第一光刻胶层；

在所述第一光刻胶层上制备一层介质层或金属层，作为硬掩膜；

在所述硬掩膜上涂覆一层光刻胶，作为第二光刻胶层；

采用纳米压印技术，在所述第二光刻胶层上压印出图形，将所述第二光刻胶层图形化；

以图形化的第二光刻胶层为掩膜，刻蚀所述硬掩膜，将所述硬掩膜图形化；

以图形化的第二光刻胶层和图形化的硬掩膜作为第一复合掩膜，刻蚀所述第一光刻胶层，将所述第一光刻胶层图形化；

以图形化的硬掩膜和图形化的第一光刻胶层作为第二复合掩膜，进行所述蓝宝石衬底的刻蚀，将所述蓝宝石衬底图形化。

优选地，所述介质层为SiO₂层或Si₃N₄层。

较优地，所述SiO₂层或Si₃N₄层通过化学气相沉积工艺制备。

优选地，所述金属层为Al、Ni或Cr。

较优地，所述金属层的制备方法为离子束蒸镀法。

优选地，所述第一光刻胶层的厚度为100～300nm，所述第二光刻胶层的厚度为200～700nm。

较优地，所述硬掩膜的厚度为50～300nm。

作为一种可实施方式，所述蓝宝石衬底采用感应耦合等离子体工艺进行刻蚀，且所述感应耦合等离子体工艺包括主刻蚀工序和过刻蚀工序。