[发明专利]高裸芯片强度的半导体晶圆加工方法和系统有效
| 申请号： | 201310705423.9 | 申请日： | 2013-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103887156A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 萨沙·默勒;哈特莫特·布宁;马丁·拉普克;古伊多·阿尔贝曼;托马斯·罗勒德 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 杨静 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了用于加工半导体晶圆的方法和系统的实施例。在一个实施例中，用于加工半导体晶圆的方法包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层，在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。在本发明中还描述了其他实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 强度 半导体 加工 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种用于加工半导体晶圆的方法，其特征在于，包括：在半导体晶圆上进行激光隐形切割，以在半导体晶圆内形成隐形切割层；以及在进行激光隐形切割之后，从半导体晶圆的背面用刀片清洁半导体晶圆，以去除至少部分隐形切割层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
